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Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd

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HXY9926Aの論理Mosfetスイッチ、Mosfetの電源スイッチ±1.2v VGS二重Nのチャネル

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China HXY9926Aの論理Mosfetスイッチ、Mosfetの電源スイッチ±1.2v VGS二重Nのチャネル wholesale
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HXY9926Aの論理Mosfetスイッチ、Mosfetの電源スイッチ±1.2v VGS二重Nのチャネル
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原産地 :シンセン中国
最低順序量 :1000-2000のPCS
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2週
支払の言葉 :L/C T/T ウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :HXY9926A
製品名 :Mosfet力トランジスター
VDS :20v
場合 :テープ/皿/巻き枠
VGS :±1.2v
連続的な下水管の流れ :6.5A
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HXY9926A 20Vの二重N-Channel MOSFET

 

 

概説

 

HXY9926Aは高度の堀の技術をに使用する

優秀なRDS （）、低いゲート充満および操作を提供しなさい

1.8V低いゲートの電圧を使って12Vを保っている間

VGS （MAX）の評価。この装置は単方向として使用のために適している

または二方向の負荷スイッチ。

 

 

プロダクト概要

 

HXY9926Aの論理Mosfetスイッチ、Mosfetの電源スイッチ±1.2v VGS二重Nのチャネル

 

 

 

通知がなければ絶対最高評価T =25°C

 

HXY9926Aの論理Mosfetスイッチ、Mosfetの電源スイッチ±1.2v VGS二重Nのチャネル

 

 

電気特徴（通知がなければT =25°C）

 

 

HXY9926Aの論理Mosfetスイッチ、Mosfetの電源スイッチ±1.2v VGS二重Nのチャネル

 

 

A.RθJAの価値は2ozの1in2 FR-4板に取付けられる装置によって測定される。TA =25°C.の静かな空気環境の銅。

ある特定の適用の価値はユーザーの特定の板設計によって決まる。

B.電力損失PDはTJ （MAX）に≤ 10sの接続点に包囲された熱抵抗を使用して=150°C、基づいている。

C. Repetitiveのの評価、接合部温度TJ （MAX） =150°C.の評価によって限られる低頻度および使用率に保つために脈拍幅は基づいている

D.RθJAはRθJLを導き、包囲されたに導くべき接続点からの熱インピーダンスの合計である。

E.図1に6の静特性はを使用して得られる <300>

 

 

典型的な電気および熱特徴

 

HXY9926Aの論理Mosfetスイッチ、Mosfetの電源スイッチ±1.2v VGS二重NのチャネルHXY9926Aの論理Mosfetスイッチ、Mosfetの電源スイッチ±1.2v VGS二重Nのチャネル

 

 

 

 

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