IRF530NPBF MOSFET パワー エレクトロニクス ハイパワー N チャネル MOSFET スイッチング アプリケーション
型式番号:IRF530NPBF
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1 - 3日
企業との接触
Add to Cart
確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IRF530NPBF MOSFET パワーエレクトロニクス
高出力 N チャネル MOSFET スイッチング アプリケーション
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 90ミリオーム @ 9A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 37nC @ 10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 920 pF @ 25 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 70W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～175℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB | |
パッケージ・ケース |
製品リスト:
製品名: IRF530NPBF MOSFET
パッケージタイプ: TO-220
最大ドレイン・ソース電圧: 100V
最大ゲート・ソース電圧: 20V
連続ドレイン電流: 16A
パルスドレイン電流: 100A
立ち上がり/立ち下がり時間: 45nS
RDS(オン): 0.8オーム
Vgs(th): 2-4V
熱抵抗: 2.7℃/W
動作温度範囲: -55 ～ +175°C
当社から購入する理由 >>> 迅速 / 安全 / 便利
• SKL
は電子部品の株式管理者および貿易会社です。当社の支社には中国、香港、シンガポール、カナダが含まれます。グローバルメンバー向けにビジネス、サービス、リソース、情報を提供します。
• 商品は可能な限り最高の品質が保証され、世界中のお客様に迅速かつ正確にお届けします。
購入方法>>>
• 電子メールでお問い合わせいただき、輸送先をお知らせください。
• オンライン チャットでは、コミッショナーができるだけ早く応答します。
サービス >>>
• 世界中へのフォワーダー発送、DHL、TNT、UPS、FEDEXなどの購入者は発送の問題を心配する必要はありません
• できるだけ早く対応させていただきます。ただし、タイムゾーンの違いにより、メールが返信されるまでに最大 24
時間かかる場合があります。製品はいくつかのデバイスまたはソフトウェアでテストされており、品質に問題がないことを確認しています。
• 当社は世界中のバイヤーに迅速、便利、安全な輸送サービスを提供することに尽力しています。
IRF530NPBF MOSFET パワー エレクトロニクス ハイパワー N チャネル MOSFET スイッチング アプリケーション
お問い合わせカート
0