IRF3710PBFの電子部品1つのNチャネルMOSFETの集積回路ICの破片
型式番号:IRF3710PBF
原産地:元の製造業者
最低順序量:最低順序量: 100 PCS
支払の言葉:先立ってT/T、ウェスタン・ユニオン、Xtransfer
供給の能力:10Kpcs
受渡し時間:3daysの中では
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Shenzhen China
住所：
2A2003の建物2のBaohujuの庭、200 Huaqingの道、Qinghuのコミュニティ、Longhuaの通り、竜華区、シンセン
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 1 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IRF3710PBFの電子部品の真新しく、オリジナルの集積回路はICを欠く
| 製品カテゴリ: | MOSFET | |
| RoHS: | 細部 | |
| 技術: | Si | |
| 様式の取付け: | 穴を通して | |
| パッケージ/場合: | TO-220-3 | |
| トランジスター極性: | N-Channel | |
| チャネルの数: | 1つのチャネル | |
| Vds -下水管源の絶縁破壊電圧: | 100ボルト | |
| ID -連続的な下水管の流れ: | 57 A | |
| Rdsのオン下水管源の抵抗: | 23のmOhms | |
| Vgs -ゲート源の電圧: | - 20ボルト、+ 20ボルト | |
| VgsのTh -ゲート源の境界の電圧: | 4ボルト | |
| Qg -ゲート充満: | 86.7 NC | |
| 最低の実用温度: | - 55 C | |
| 最高使用可能温度: | + 175 C | |
| Pd -電力損失: | 200 W | |
| チャネル モード: | 強化 | |
| 包装: | ||
| ブランド: | ||
| 構成: | 単一 | |
| 高さ: | 15.65 mm | |
| 長さ: | 10のmm | |
| 製品タイプ: | MOSFET | |
| 1000 | ||
| 下位範疇: | MOSFETs | |
| トランジスター タイプ: | 1つのN-Channel | |
| 幅: | 4.4 mm | |
| 部分#別名: | IRF3710PBF SP001551058 | |
| 単位重量: | 0.068784 oz |
IRF3710PBFの電子部品1つのNチャネルMOSFETの集積回路ICの破片
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