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p ch モスフェット

1 - 20 の結果 p ch モスフェット から 34 製品

高い発電MOSFET 2N7002LT1 SOT23、N CH Mosfet - 60V 115MA 7.5Ohm [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学(香港)のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客.........

Time : Nov,24,2024
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FQD2N80TM N CH MOSFET VDSSの下水管の源の電圧SMD SMT土台 MOSFETのN-channelの下水管源の電圧(Vdss) MOSFETに252 FQD2N80TM 『MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK 製造業者:.........

Time : Nov,25,2024
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STL150N3LLH5 MOSFET N-CH 30V 195A パワーフラット N P チャネル モスフェット 製造者: STMマイクロ電子機器 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パ.........

Time : Jul,14,2025
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MOSFETのトランジスターPチャネル-50A -40V 10.1 MOHM MOSの管FDD4141 プロダクト 記述: 1. FDD4141は-40VのP-channelのPowerTrench® MOSFET特に合ったオン州の抵抗を最小にし、優秀な転換の性能のための低いゲート充満を維持する........

Time : Nov,24,2024
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WSF3012 N CHおよびPチャネルMOSFET 記述 WSF3012は高性能の堀N CHです そして極度で高い細胞密度のP CH MOSFET、 優秀なRDSONを提供し、のための充満をゲートで制御しなさいかどれ 同期木びき台のコンバーターの塗布のほとんど。 WSF30.........

Time : May,30,2024
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AON7421 MOSFET パワー エレクトロニクス FET MOSFET トランジスタ P-CH 20V 30A パッケージ 8-DFN-EP FETタイプ Pチャン...

Time : Nov,30,2024
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SUD50P06-15L-E3集積回路ICの破片MOSFET P-CH 60V 50A TO252 TrenchFETシリーズ Pチャネル60 V (D-S)、175の°C MOSFET 特徴 1、TrenchFET®力MOSFET 2の175の°Cの接合部温度 3、RoHS指導的な2002/95......

Time : Nov,03,2023
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P-CHの集積回路ICはSUD50P06-15L-E3 TO252の堀FETシリーズを欠く 商品は調節する: 真新しい 部分の状態: 活動的 無鉛/Rohs: 不平 機能: Mosfet タイプの取付け.........

Time : Nov,27,2024
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BUK7M6R7-40HX MOSFETの電子工学の集積回路N-CH 40V 50A BUK7M6R7-40HX MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33 部門分離した半導体製品トランジスターFETs、MOSFETs単一のFETs、MOSFETsMfrNexperia USA Inc。......

Time : Nov,29,2024
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CSD18534Q5A Mosfet力トランジスターMOSFET 60V N CH NexFET Pwr MOSFET 1特徴 超低いQgおよびQgd 低い熱抵抗 評価されるなだれ 論理のレベル Pbの......

Time : Dec,01,2024
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TRANS MOSFET N-CH 30V 15A SO-FL T/R NTMFS4C029NT1Gの新しい部品のトランジスター 製品の説明 伝導の損失を最小にする低いRDS ()運転者の損失を最小にする低いキャパシタンス転換の損失を最小にする最大限に活用された.........

Time : Dec,09,2024
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NおよびPチャネルの強化モード力MOSFET ▼の低いゲート充満 ▼の速い切り替え速度 ▼ PDIP-8のパッケージ N-CH BVDSS 35V RDS() 25mΩ ID 7A......

Time : May,30,2024
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EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V.1A SOT-563-6 メーカー: ROHMセミコンダクター製品カテゴリ:MOSFETテクノロジー: Si設置スタイル:SMD/SMTパッケージ/箱:SOT-563-6トランジスタの極度:Nチャンネルチャンネル数: 2チャン.........

Time : Dec,03,2024
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集積回路の破片IPT004N03LATMA1 MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOFのパッケージ IPT004N03LATMA1の製品の説明 IPT004N03LATMA1はN-Channel 30 V 300A (Tc) 3.8W (Ta)、300W (Tc).........

Time : Nov,29,2024
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INFINEON チップ IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 製造者: インフィニオン 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース.........

Time : Dec,09,2024
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STP12NM50 ST MOSFET N-Ch 500 ボルト 12 アンペア スイッチング アプリケーション 1.特徴 100% 雪崩試験済み低入力容量とゲート電荷低ゲート入力抵抗 2.説明これらの N チャネル パワー MOSFET は、マルチ ドレイン.........

Time : Dec,09,2024
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MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 NP110N055PUG製品の説明 包装テープ及び巻き枠(TR)部分の状態時代遅れFETのタイプN-Channel技術MOSFET (金属酸化物)流出させなさいに源の電圧(Vdss)55V現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C110A (T......

Time : Dec,02,2024
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部品番号:AOTF14N50 記述:MOSFET N-CH 500V 14A TO220F 部門:分離した半導体Products>>FETs -選抜して下さい 包装:管 FETのタイプ:Nチャネル 技術:MOSFET (金属酸化物) 源の電圧(Vdss)に流出させて下さい:500V 現在-連続的下水......

Time : Nov,20,2020
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製品範囲 IGBT CoolMOSの分離した半導体SPW35N60C3 MOSFET N CH 650V 34.6A TO247-3 Appの特徴 新しい革命的な高圧技術 超低いゲート充満 周期的ななだれは評価した 極度なdv /dtは評価した 超低く有効なキャパ.........

Time : Aug,27,2025
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