STL150N3LLH5 N-CH MOSFET IC 30V 195A POWERFLAT NPチャネルモスフェット
モデル番号:STL150N3LLH5
産地:CHN
最低注文量:1PCS
支払条件:T/T,ウェスタン・ユニオン
供給能力:3000個
配達時間:1日
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Shenzhen Guangdong China
住所：
部屋1205-1207 ナンガングビル フアフ・ロード 福建区 シェンゼン 広東 中国
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製品詳細
会社概要
製品詳細
STL150N3LLH5 MOSFET N-CH 30V 195A パワーフラット N P チャネル モスフェット
| STMマイクロ電子機器 | |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| RoHS について | 詳細 |
| そうだ | |
| SMD/SMT | |
| パワーFLAT-5x6-8 | |
| Nチャンネル | |
| 1 チャンネル | |
| 30V | |
| 150A | |
| 1.75mOhms | |
| - 22V, + 22V | |
| - 55°C | |
| +150C | |
| 80W | |
| 強化 | |
| ストライプフェット | |
| STL150N3LLH5 | |
| リール | |
| 切断テープ | |
| マウスリール | |
| ブランド: | STMマイクロ電子機器 |
| 構成: | シングル |
| 秋の時間 | 47.8 ns |
| 高さ: | 0.81mm |
| 長さ: | 5mm |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 昇る時間: | 30.8 ns |
| サブカテゴリー: | MOSFET |
| トランジスタタイプ: | 1 Nチャネル |
| 典型的な切断遅延時間: | 65.8 ns |
| 典型的オンアップ遅延時間: | 17.2 ns |
| 幅: | 6mm |
| 単位重量: | 0.002681オンス |
記述
この STripFETTMV パワー MOSFET 技術は,
特殊に設計されていて 非常低のオン状態抵抗を 実現し クラス最高のFOMを 提供しています
この製品は STの独占の STripFETTM技術の 5代目のデザインルールを利用しています.
このチップスケールパッケージ. このデバイスは最も適しています.
要求の高いDC-DCコンバーターアプリケーション
高い電源密度を達成する.
このチップスケールパッケージ. このデバイスは最も適しています.
要求の高いDC-DCコンバーターアプリケーション
高い電源密度を達成する.
特徴
■ RDS (オン) * Qg 業界基準
■ 非常に低い電源抵抗 RDS (電源)
■ 大雪崩の強度
■ ゲート駆動力の損失が低い
適用する
■ アプリケーションの切り替え
STL150N3LLH5は,STMicroelectronicsが製造するNチャンネル電源MOSFETトランジスタである.
STripFETTM Vシリーズの一部で,高効率で低脱出率のアプリケーション用に設計されています.
このMOSFETは最大30Vの脱出電圧と35Aの連続脱出電流を持っていますラング.
STL150N3LLH5の主要仕様:
- タイプ:Nチャンネル電源MOSFET
- Vgs (ゲート・ソース・電圧): ±22V
- ID (連続流出電流): 35A
- Rdsオン (最大) @ Id,Vgs: 1.75mΩ @ 17.5A, 10V
- パッケージ/ケース: 8-PowerVDFN
- 動作温度: -55°Cから150°C
- 電力分散最大:114W Tc
- ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
- 起動遅延時間: 17.2ns
- シャットオフの遅延時間: 65.8 ns
- 昇る時間 30.8ns
- 落ちる時間 (タイプ): 47.8ns
- 雪崩のエネルギー評価 (Eas): 300mJ
- 寸法: 5mm × 6mm × 950μm[3]
応用:
- 電源と切換電源
- モーター制御
- 増幅器
- 突発電流の切り替えのための自動化産業
STL150N3LLH5 N-CH MOSFET IC 30V 195A POWERFLAT NPチャネルモスフェット
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