WSF3012 Mosfet力トランジスター50mΩ RDSON切換え力Mosfet
原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所：
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 14 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
WSF3012 N CHおよびPチャネルMOSFET
記述
WSF3012は高性能の堀N CHです
そして極度で高い細胞密度のP CH MOSFET、
優秀なRDSONを提供し、のための充満をゲートで制御しなさいかどれ
同期木びき台のコンバーターの塗布のほとんど。
WSF3012大会RoHSおよび緑プロダクト
完全な機能と保証される条件100% EAS
承認される信頼性。
夏らしなプロダクト
特徴
- zの高度の高い細胞密度の堀の技術
- zの極度の低いゲート充満
- z優秀なCdV/dtの効果の低下
- 保証されるz 100% EAS
- 利用できるzの緑装置
適用
同期zの高周波ポイントの負荷
MB/NB/UMPC/VGAのための木びき台のコンバーター
zのネットワーキングDC-DCのパワー系統
z CCFLのバックライト インバーター
絶対最高評価
熱データ
Nチャネルの電気特徴（通知がなければTJ=25 ℃、）
保証されたなだれの特徴
ダイオード特徴
注:
1. データは2OZ銅を持つinch2 FR-4板1枚に取付けられた表面によってテストしました。
2. データは、脈拍幅の≦ 300us脈打つによっての使用率の≦ 2%テストしました
3. 電力損失は150℃接合部温度によって限られます
4. データは論理上IDそしてIDMが、実質の適用で全体の電力損失によって、限られるべきである同じです。
Pチャネルの電気特徴（通知がなければTJ=25 ℃、）
保証されたなだれの特徴
ダイオード特徴
注:
1. データは2OZ銅を持つinch2 FR-4板1枚に取付けられた表面によってテストしました。
2. データは、脈拍幅の≦ 300us脈打つによっての使用率の≦ 2%テストしました
3. EASデータは最高を示します。評価。テスト条件はVDD=-25V、VGS=-10V、L=0.1mH、IAS=-27.2Aです
4. 電力損失は150℃接合部温度によって限られます
5. 最少価値は100%のEASによってテストされる保証です。
6. データは論理上IDそしてIDMが、実質の適用で全体の電力損失によって、限られるべきである同じです。
Nチャネルの典型的な特徴
Pチャネルの典型的な特徴
WSF3012 Mosfet力トランジスター50mΩ RDSON切換え力Mosfet
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