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AP4511GDの低い電力mosfet力MosfetのトランジスターNおよびPチャネルの強化モードはMOSFETに動力を与えます

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MissSharon Yang
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AP4511GDの低い電力mosfet力MosfetのトランジスターNおよびPチャネルの強化モードはMOSFETに動力を与えます

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型式番号 :AP4511GD
原産地 :元の工場
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 :7800pcs
受渡し時間 :1 日
包装の細部 :細部については私に連絡して下さい
全体の電力損失 :2.0 W
線形軽減の要因 :0.016 With℃
保管温度の範囲 :-55から150 ℃
作動の接合部温度の範囲 :-55から150 ℃
接続点包囲された最高の熱抵抗 :62.5 ℃/W
下水管源の絶縁破壊電圧 :35ボルト
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NおよびPチャネルの強化モード力MOSFET

 

▼の低いゲート充満AP4511GDの低い電力mosfet力MosfetのトランジスターNおよびPチャネルの強化モードはMOSFETに動力を与えます

▼の速い切り替え速度

▼ PDIP-8のパッケージ

 

N-CH BVDSS 35V

            RDS() 25mΩ

            I7A

P-CH BVDSS -35V

            RDS() 40mΩ

            I-6.1A

AP4511GDの低い電力mosfet力MosfetのトランジスターNおよびPチャネルの強化モードはMOSFETに動力を与えます

記述

APECからの高度力のMOSFETsは速い切換え、高耐久化された装置設計、超低いオン抵抗および費用効果の最もよい組合せをデザイナーに与えます。

 

 

絶対最高評価

記号 変数 評価 単位
Nチャネル Pチャネル
VDS 下水管源の電圧 35 -35 V
VGS ゲート源の電圧 ±20 ±20 V
ID@TA =25℃ 連続的な下水管の流れ3 7 -6.1 A
ID@TA =70℃ 連続的な下水管の流れ3 5.7 -5 A
IDM 脈打った下水管の流れ1 30 -30 A
PD@TA =25℃ 全体の電力損失 2.0 W
  線形軽減の要因 0.016 With℃
TSTG 保管温度の範囲 -55から150
TJ 作動の接合部温度の範囲 -55から150

 

パッケージの輪郭:DIP-8

AP4511GDの低い電力mosfet力MosfetのトランジスターNおよびPチャネルの強化モードはMOSFETに動力を与えます

 

部分の印の情報及びパッキング:DIP-8

AP4511GDの低い電力mosfet力MosfetのトランジスターNおよびPチャネルの強化モードはMOSFETに動力を与えます

 

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 Q'ty MFG D/C パッケージ
LM331N 4666 NSC 15+ DIP-8
AD7780BRUZ 4662 広告 15+ TSSOP-16
LM385M3X-2.5 4656 NSC 14+ SOT-23
ADS1256IDBR 4650 チタニウム 14+ SSOP28
LTC1658CS8#PBF 4636 線形 13+ SOP
AD8643ACPZ 4631 広告 15+ LFCSP
ADS8361IDBQ 4625 チタニウム 14+ SSOP24
PIC16F1829-I/SS 4622 マイクロチップ 15+ SSOP
AMC1200BDWVR 4622 チタニウム 15+ SOP8
ATMEGA324PA-AU 4621 ATMEL 15+ QFP44
AD8221ARMZ 4611 広告 14+ MSOP-8
MIC29302WUTR 4604 MICREL 13+ TO-263
LM340T-5.0 4600 NSC 14+ TO-220
ADS1240E 4600 チタニウム 15+ SSOP24
LTC1605CSW 4582 線形 10+ SOP
MAX3241EUI+T 4580 格言 14+ TSSOP
AK4384VT-E2 4580 AKM 15+ TSSOP-16
CS5534-ASZ 4575 毛状突起 15+ SSOP20
MPX5700DP 4574 FREESCALE 15+ SIP
ADUM1402ARWZ 4572 広告 15+ SOP16
ATMEGA88PA-MMHR 4560 ATMEL 15+ QFN32

 

 

 

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