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1.特徴
100% 雪崩試験済み
低入力容量とゲート電荷
低ゲート入力抵抗
2.説明
これらの N チャネル パワー MOSFET は、マルチ ドレイン プロセスと同社の PowerMESH 水平レイアウトを関連付ける、ST マイクロエレクトロニクスの革新的な MDmesh テクノロジを使用して開発されています。これらのデバイスは、非常に低いオン抵抗、高い dv/dt、および優れたアバランシェ特性を提供します。ST独自のストリップ技術を利用したこれらのパワーMOSFETは、市場に出回っている同様の製品よりも優れた全体的なダイナミック性能を誇っています。
3.アプリケーション
アプリケーションの切り替え