P-CHの集積回路ICの破片SUD50P06-15L-E3 TO252の堀FETシリーズ

型式番号:SUD50P06-15L-E3
原産地:マレーシア
最低順序量:100個
支払の言葉:トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力:1年ごとの100Kpcs
受渡し時間:1-2 営業日
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Shenzhen Guangdong China
住所: C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
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製品詳細

SUD50P06-15L-E3集積回路ICの破片MOSFET P-CH 60V 50A TO252 TrenchFETシリーズ
 
P-Channel 60 V (D-S)、175の°C MOSFET
 
特徴
1、TrenchFET®力MOSFET
2の175の°Cの接合部温度
3、RoHS指導的な2002/95/ECに迎合的
 

製造業者Vishay Siliconix 
シリーズTrenchFET® 
包装テープ及び巻き枠(TR) 
部分の状態活動的 
FETのタイプP-Channel 
技術MOSFET (金属酸化物) 
流出させなさいに源の電圧(Vdss)60V 
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C50A (Tc) 
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)4.5V、10V 
Vgs ((最高) Th) @ ID3V @ 250µA 
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs165nC @ 10V 
Vgs (最高)±20V 
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds4950pF @ 25V 
FETの特徴- 
電力損失(最高)3W (Ta)、136W (Tc) 
(最高) @ ID、VgsのRds15 mOhm @ 17A、10V 
実用温度-55°C | 175°C (TJ) 
タイプの取付け表面の台紙 
製造者装置パッケージTO-252、(D朴) 
パッケージ/場合TO-252-3、DPak (2つの鉛+タブ)、SC-63

 
 

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P-CHの集積回路ICの破片SUD50P06-15L-E3 TO252の堀FETシリーズ

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