CSD18534Q5Aの論理のレベルMosfet力トランジスターMOSFET 60V N CH NexFET Pwr MOSFET
型式番号:CSD18534Q5A
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包装の細部:VSONP8
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製品詳細
会社概要
製品詳細
CSD18534Q5A Mosfet力トランジスターMOSFET 60V N CH NexFET Pwr MOSFET
1特徴
- 超低いQgおよびQgd
低い熱抵抗
評価されるなだれ
論理のレベル
Pbの自由な末端のめっき
迎合的なRoHS
自由なハロゲン
息子× 5つのmmの6つのmmのプラスチック パッケージ
2つの適用
DC-DCの転換
二次側面の同期整流器
隔離されたコンバーター第一次側面スイッチ
運動制御
3記述
この7.8のmΩ、60ボルト、息子5の× 6 mm NexFETTM力MOSFETは力転換の適用の損失を最小にするように設計されている。
プロダクト概要
TA = 25°C | 典型的な価値 | 単位 | ||
VDS | 下水管に源の電圧 | 60 | V | |
Qg | ゲート充満合計（V） 10 | 17 | NC | |
Qgd | ゲート充満ゲートに下水管 | 3.5 | NC | |
RDS （） | 下水管に源のオン抵抗 | VGS = 4.5ボルト | 9.9 | mΩ |
VGS =10V | 7.8 | mΩ | ||
VGS （Th） | 境界の電圧 | 1.9 | V | |
発注情報
装置 | QTY | 媒体 | パッケージ | 船 |
CSD18534Q5A | 2500 | 13インチの巻き枠 | 息子× 5つのmmの6つのmmのプラスチック パッケージ | テープおよび巻き枠 |
CSD18534Q5AT | 250 | 7インチの巻き枠 |
絶対最高評価
TA = 25°C | 価値 | 単位 | |
VDS | 下水管に源の電圧 | 60 | V |
VGS | ゲートに源の電圧 | ±20 | V |
ID | 連続的な下水管の流れ（限られるパッケージ） | 50 | |
連続的な下水管の流れ（限られるケイ素）、TC = 25°C | 69 | ||
連続的な下水管の流れ、TA = 25°C （1） | 13 | ||
IDM | 脈打った下水管の流れ、TA = 25°C （2） | 229 | |
PD | 電力損失（1） | 3.1 | W |
電力損失、TC = 25°C | 77 | ||
TJ、Tstg | 作動の接続点、保管温度 | – 55から150 | °C |
EAS | なだれエネルギー、単一の脈拍ID =40A、L=0.1mH、RG =25Ω | 80 | mJ |
CSD18534Q5Aの論理のレベルMosfet力トランジスターMOSFET 60V N CH NexFET Pwr MOSFET
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