IRF530NPBF MOSFET パワーエレクトロニクス 高出力 N チャネル MOSFET スイッチング アプリケーション FETタイプ Nチャンネル......
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強力な論理のレベルのトランジスター/NチャネルMosfetスイッチ2N60 TO-220F 論理の水平なトランジスター記述 UTC 2N60-TC3は高圧力MOSFET、速い切換えの時間、低いゲート充満の低いオン州の抵抗のようなよりよい特徴を、持つようにそして高く険しいなだれの特徴を持つように設計さ......
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JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者であるP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 N-channelを運転するのに使用す.........
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HEXFETパワーMOSFET T ♦超低オン抵抗 ♦PチャネルMOSFET ♦SOT-23フットプリント ♦ロープロファイル(<1.1ミリメートル) ♦テープ&リールで利用可能 ♦高速スイッチング インターナショナル・レクティファイアーからこれらのPチャネルMO.........
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CS8N65A2 8A650V 高電圧MOSFET Nチャネル高速スイッチングアプリケーション 部分番号 パッケージ チャンネル ID(A) VDSS(V) VGSS(V) VGS (th) (V) RDS ((ON)10V (mΩ) Qg(nC) シス(pF) ミン.........
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IRFP4227 200V 65A NチャネルMOSFETトランジスター247AC IRFP4227PBF 特徴 先端プロセス技術 PDPサステイン、エネルギー回収、パススイッチアプリケーションに最適化された主要パラメータ PDPサスティン、エネルギー回収およびパススイッチの電力損失を.........
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HXY9926A 20Vの二重N-Channel MOSFET 概説 HXY9926Aは高度の堀の技術をに使用する 優秀なRDS ()、低いゲート充満および操作を提供しなさい 1.8V低いゲートの電圧を使って12Vを保っている間 VGS (MAX)の評価。この装置は単方向.........
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STL150N3LLH5 MOSFET N-CH 30V 195A パワーフラット N P チャネル モスフェット 製造者: STMマイクロ電子機器 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パ.........
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IXFK27N80Q NチャネルMosfet 800V 27A 0.32 Rds力のMOSFETs HiPerFET 記述 HiPerFETTM力のMOSFETs Q-CLASS 単一MOSFETは死ぬ N-Channelの強化モードなだれは、低いQg、高いdV/dtの低いtrr評価した.........
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か。か。か。か。か。か。HEXFETか。力MOSFET T *超低いオン抵抗 * P-Channel MOSFET * SOT-23足跡 *控え...
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DMP34M4SPS TPCA8128 MOSFETのP-Channel 30V 34A 8SOPとのあなたの装置の性能を後押ししなさい最上質DMP34M4SPS-13のあなたのノートの電池および負荷切換えを最大限に活用しなさい あなたのラップトップの性能を後押しし、電池の寿命を改善するため.........
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MOSFET力トランジスターを転換するIRF640NPBFのすくいTRANS Nチャネル200V 18A記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETの®力MOSFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFE.........
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BTS282ZE3230 49V 80A LEDの運転者ICの破片Nチャネルの電源スイッチ N-channelの電源スイッチ49V 80AのMOSFEtsに220 7 BTS282ZE3230 6.5のmOhms - 20ボルト、+ 20ボルト 製造業者: I.........
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オリジナルPチャネルMosfet IRLML6402TRPBF /集積回路IC Pチャネル 説明: International RectifierのこれらのPチャネルMOSFETは、 非常に低いオン抵抗を実現する高度な処理技術 シリコン面積ごと。 この利点は、高速と組み合わせて.........
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ISO9001.pdf IPD082N10N3はNチャネルMOSFETトランジスタである.その用途,結論,パラメータは以下のとおりである.適用:高電圧と高電力の負荷スイッチとして使用変換器と調節器のスイッチとして使用される結論は高電圧対応:Vds=100V低導電抵抗:Rds (オン) =8.2m........
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IRF640NSTRLPBF NチャネルMOSFETのトランジスター200V表面の台紙D2PAK 商品は調節する: 真新しい 部分の状態: 活動的 無鉛/Rohs: 不平 機能: Mosfet タイプの.........
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製品説明: 高電圧MOSFETは,高電圧アプリケーションのために設計された電源モスフェットの一種である.その特徴は,組み込まれたFRD高電圧MOSFET技術,超高電圧MOSFETアプリケーション組み込みのFRD HV MOSFET技術は,モーターシリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回........
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CJ2310 S10 NPN PNPのトランジスターNチャネルMOSFETはMOSFETSをプラスチック内部に閉じ込めます 記述 CJ2310は2.5V優秀なRDS ()、低のゲートの電圧の低いゲート充満および操作を提供するのに高度の堀の技術を使用します。この装置は電池の保護としてまたは他の切換えの......
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NTMFS4833NT1G MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN mosfetのトランジスター プロダクト 記述: 1. NTMFS4833NT1G分野効果の管、MOSFETのNチャネル、30V、191A、DFN5 Nチャネル力MOSFET、30V2. NT.........
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