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か。か。か。か。か。か。HEXFETか。力MOSFET T
*超低いオン抵抗
* P-Channel MOSFET
* SOT-23足跡
*控えめ（<1>
*テープおよび巻き枠で利用できる
*速い切換えか。か。か。か。か。
国際的な整流器からのこれらのP-ChannelのMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いonresistanceを達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET®力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点は電池および負荷管理の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。
熱的に高められた大きいパッドのleadframeは標準的なSOT-23パッケージに企業で最も小さい足跡のHEXFET力MOSFETを作り出すために組み込まれた。このパッケージは、Micro3™を、であるプリント基板 スペースが報酬にある適用にとって理想的ダビングした。控えめの（<1>
| 変数 | 最高。 | 単位 | |
| VDS | 下水管の源の電圧 | -20 | V |
| ID @ TA = 25°C | 連続的な下水管の流れ、VGS @ -4.5V | -3.7 | |
| ID @ TA= 70°C | 連続的な下水管の流れ、VGS @ -4.5V | -2.2 | |
| IDM | 脈打った下水管の流れか。 | -22 | |
| PD @TA = 25°C | 電力損失 | 1.3 | W |
| PD @TA = 70°C | 電力損失 | 0.8 | |
| 線形軽減の要因 | 0.01 | With°C | |
| EAS | 単一の脈拍のなだれエネルギーか。 | 11 | mJ |
| VGS | ゲートに源の電圧 | ± 12 | V |