Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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-247AC IRFP4227PBFへのIRFP4227 NチャネルMosfet力トランジスター

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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-247AC IRFP4227PBFへのIRFP4227 NチャネルMosfet力トランジスター

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型式番号 :IRFP4227PBF
原産地 :CN
最低順序量 :30 部分
支払の言葉 :トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力 :1年ごとの10Kpcs
受渡し時間 :1-2 営業日
包装の細部 :プラスチック管
商品の状態 :真新しい
部分の状態 :アクティブ
無鉛/Rohs :不平
関数 :電界効果トランジスタ
土台のタイプ :穴を通して
パッケージ :TO247
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IRFP4227 200V 65A NチャネルMOSFETトランジスター247AC IRFP4227PBF

特徴
先端プロセス技術
PDPサステイン、エネルギー回収、パススイッチアプリケーションに最適化された主要パラメータ
PDPサスティン、エネルギー回収およびパススイッチの電力損失を低減する低EPULSE定格

アプリケーション
迅速な応答のための低QG
信頼性の高い動作のための高い繰り返しピーク電流能力
高速スイッチングのための短期および立上り時間175°Cの動作ジャンクション温度による耐久性の向上
反復雪崩能力による堅牢性と信頼性

メーカー インフィニオンテクノロジーズ
シリーズ HEXFET®
パッケージング チューブ
部品ステータス アクティブ
FETタイプ Nチャネル
技術 MOSFET(金属酸化膜)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 65A(Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @250μA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 98nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4600pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 330W(Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 25mOm @ 46A、10V
動作温度 -40℃〜175℃(TJ)
取付タイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ 〜247AC
パッケージ/ケース TO-247-3


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