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N-GaN平らな支えがないGaNの基質
PAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立しました。水素化合物の蒸気段階のエピタクシーの(HVPE)の技術によって育てられて、GaNの私達の基質に低い欠陥密度がおよびより少しか自由なマクロ欠陥密度があります。
PAM-XIAMENはさまざまなオリエンテーションのGaNの基質を含むGaNのフル レンジをそして関連III-N材料および電気伝導率、crystallineGaN&AlNの型板および注文III-Nのepiwafers提供します。
ここに詳細仕様を示します:
N-GaN平らな支えがないGaNの基質
| 項目 | PAM FSGaN |
| 次元 | 5つx 10のmm2 |
| 厚さ | 350 ±25 µm 430±25のµm |
| オリエンテーション |
M軸線0 ±0.5°の方の角度を離れた平面（11-20） C軸線-1 ±0.2°の方の角度を離れた平面（11-20） |
| 伝導のタイプ | Nタイプ |
| 抵抗（300K） | < 0=""> |
| TTV | ≤ 10のµm |
| 弓 | -10 µmの≤の弓≤ 10のµm |
| 表面の粗さ: |
前側:RA<0> 裏側:良い地面または磨かれる。 |
| 転位密度 | 1 x 10 5から5 x 106 cm-2から |
| マクロ欠陥密度 | 0のcm-2 |
| 使用可能な区域 | > 90% （端の排除） |
| パッケージ | 単一のウエファーの容器のそれぞれ、クラス100のクリーン ルームで詰まる窒素の大気の下で |
N-GaN平らな支えがないGaNの基質
PAM-XIAMENのGaN （ガリウム窒化物）の基質は元のHVPE方法およびウエファーの加工技術となされる良質のsinglecrystal基質です。それらは高く結晶、よい均等性および優秀な表面質です。GaNの基質は多くの種類の適用のために、白いLEDおよびLD （すみれ色、青および緑）のための使用されます、なお開発は力および高周波電子デバイスの塗布のために進歩しました。
GaNは非常に堅いです（12±2 GPaの高熱容量および熱伝導性の機械的に安定した広いbandgapの半導体材料。純粋な形態ではそれは割れることを抵抗し、格子定数の不適当な組み合わせにもかかわらずサファイアまたは炭化ケイ素の薄膜で、沈殿することができます。GaNはケイ素(Si)またはnタイプへの酸素およびpタイプへのマグネシウム(Mg)と添加することができます。但し、SiおよびMg原子の変更GaNの水晶が育つ方法、抗張圧力をもたらしおよび壊れやすくさせます。Galliumnitrideの混合物はまた1平方センチメートルあたり108から1010の欠陥の順序の高い転位密度が、ありがちです。GaNの広いバンド ギャップの行動はバンド構造、充満職業および化学結合の地域の特定の変更に接続されます。
亜鉛閃亜鉛鉱の結晶構造
| 注目 | Referens | ||
| エネルギー ギャップ、例えば | 3.28 eV | 0 K | 等Bougrov （2001年） |
| エネルギー ギャップ、例えば | 3.2 eV | 300 K | |
| 電子親和力 | 4.1 eV | 300 K | |
| 伝導帯 | |||
| Γの谷とXの谷EΓ間のエネルギー分離 | 1.4 eV | 300 K | 等Bougrov （2001年） |
| Γの谷とL谷EL間のエネルギー分離 | 1.6 ÷ 1.9のeV | 300 K | |
| 州の有効な伝導帯密度 | 1.2 x 1018 cm-3 | 300 K | |
| 原子価バンド | |||
| 回転軌道分裂Eのエネルギーそう | 0.02のeV | 300 K | |
| 州の有効な原子価バンド密度 | 4.1 x 1019 cm-3 | 300 K |
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亜鉛閃亜鉛鉱（立方） GaNのバンド構造。原子価の伝導帯そして最高の重要な最低はバンドが付きます。 300K;例えば=3.2 eVeV;EX= 4.6のeV;EL= 4.8-5.1のeV;そうE = 0.02のeV 細部についてはSuzuki、Uenoyama及びYanase （1995年）に会って下さい。 |
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ダイヤモンドの面心立方の格子、ブラベ格子およびzincblendeの構造のブリュアン ゾーン。 |