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MRF9045LR1TRANSISTORS RFの在庫の両極トランジスターSi原物 ASI MRF9045LR1は金金属で処理される高圧である 横に拡散させた金属酸化膜半導体。今日のための理想 RFの電力増幅器の塗布。 製品カテゴリ: RF M.........
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ガリウム ニトリド 50V 16W DC-6GHzRF パワー トランジスタ 記述 について STAV58016P2 は a は 16 ワット 匹敵しない GaN HEMT 理想的なについて 一般的な用途に 6GHzで特徴は高い 幅広く バンド そして 低い 費用 中 4*4.5mmDFNプラスチッ......
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製品の説明IRF1404ZPBF Nチャネルのトランジスター180A 200W HEXFET FET MOSFET 穴TO-220AB HEXFETのFETsのMOSFETsを通したIRF1404ZPBFのトランジスターN-Channel 180A 200W N-Channel 180A （穴TO-......
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MADR-009443-0001TRの一般目的のクォードFETおよびPINの運転者PQFN製品の説明 部品番号MADR-009443-0001TRはMACOMの技術の解決によって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの......
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IPL60R225CFD7AUMA1標準的なMOSFETのトランジスターFETのよい価格 製品の説明 IPL60R225CFD7AUMA1は費用最大限に活用される、10mΩ低いオン抵抗RDSを（）提供し、増加された出力密度および最小にされた伝導の損失を可能にする。.........
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製品説明: 超帯1000-2000MHz 47dBm ゲイン RF パワーアンプ モジュールは,様々な信号源アプリケーションの要求に応えるように設計されています.複数の周波数帯をサポートする1000MHz以上帯域幅 このアンプは高電源トランジスタ回路を搭載し 最大出力50Wを供給し プロジェ.........
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BF 999 E6327 RF MOSFETのトランジスター ケイ素のN-Channel MOSFETの三極管 1.Silicon N-Channel MOSFETの三極管 高周波段階のためできれば300までのMHz FMの適用で•Pbなしの（迎合的なRoHS） package1） .........
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MMBTH81は,onsemiから,RF双極トランジスタです. 我々は,グローバル市場で競争力のある価格で提供しています,オリジナルと新しい部品です.商品についてもっと知りたいか 価格を低くしたいかオンラインチャットでご連絡ください!.........
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ICの集積回路UCC5350MCDR SOIC-8はゲートの運転者を隔離した 製品の説明: UCC53x0はMOSFETsを、IGBTs運転するように、設計されている単一チャネルの、隔離されたゲートの運転者SiCのMOSFETsおよびGaNのFETs （UCC5350SBD）の系列である。.........
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