rf fetトランジスタ

プロダクト:HMC442LC3BTR RF力トランジスター 記述: HMC442LC3BTRは高利得の宇宙航空および商業軍隊を含む広い応用範囲の使用のために適しているSiCのヘテロ接合FETの中型力GaNである。 特徴: - 高利得、SiCの.........

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RD06HVF1 RF POWER MOSFET Silicon Transistor 175MHz 6W 増幅器アプリケーション向け RD06HVF1の説明 RD06HVF1 は、VHF RF パワーアンプ アプリケーション向けに特別に設計された MOS FET タイプのトランジスタです。 ......

トランジスタ IPP65R050CFD7A 集積回路チップ 650V シングルFET トランジスタ TO-220-3 製品説明IPP65R050CFD7A IPP65R050CFD7AはシングルFET,MOSFETトランジスタ パッケージはTO-220-3, Through Holeです 仕.........

MRF9045LR1TRANSISTORS RFの在庫の両極トランジスターSi原物 ASI MRF9045LR1は金金属で処理される高圧である 横に拡散させた金属酸化膜半導体。今日のための理想 RFの電力増幅器の塗布。 製品カテゴリ: RF M.........

製造者: MACOM 製品カテゴリー: RF MOSFET トランジスタ RoHS について 詳細 トランジスタの偏性: Nチャンネル テクノロジー そうだ Id - 連続流出電流: 16A Vds - 排水源の断熱電圧: 125V Rds ON - 排水源抵抗:.........

BFS505 NPN PNPのトランジスターRFトランジスターNPN 15V 18mA 9GHz 150mW表面の台紙 NPN 9つのGHzの広帯域のトランジスター 特徴 •低い消費電流 •高い発電の利益 •低雑音図 •高い転移の頻度 •金のメタライゼーションは保障します 優秀な信頼性 ......

製品名:PD57018-E 製造業者:STMicroelectronics 製品カテゴリ:RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター トランジスター極性:N-Channel 技術:Si.........

INNOTION 7W 28V ガリウムナトリド RF パワートランジスタ YP601238T 高効率の向上と7.2GHzまでの幅広い帯域幅 DC 製品説明 イノーションのYP601238Tは 7ワット高電子移動性トランジスタ (HEMT) で 高効率に設計されています高い加益率と 7200M.........

VISHAY IC S525T-GS08 表面実装 SOT-223 S525T 製品パラメータ メーカー: Vishay 製品カテゴリ: RF MOSFETトランジスタ トランジスタ極性: Nチャネル......

PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF力トランジスターMOSFETS PD85035-Eは共通のソースのN-channel、強化モード側面field-effect RF力であるトランジスター。それは高利得の、広帯域商業および産業適用のために設計されている。それは1つ......

製品説明: 高電圧MOSゲートトランジスタ (High Voltage MOS-Gate Transistor,High Voltage FET) は,高電圧アプリケーションで使用するために設計された半導体装置の一種である.このデバイスは,その強力なパフォーマンスと幅広いアプリケーションのために........

BFS505 NPN PNP トランジスタ RF トランジスタ NPN 15V 18mA 9GHz 150mW 表面マウント NPN 9 GHz ブロードバンドトランジスタ 特徴 • 低電流消費 • 高い 電力 増加 • 低騒音率 • 高速 移行 頻度 • 金の金属化により 優れた信頼性 •.........

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プロダクト細部 包装切りなさいテープ（CT）を部分の状態Digiキーで中断されるFETのタイプN-Channel技術MOSFET （金属酸化物）流出させなさいに源の電圧（Vdss）100V現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C2.5A （Ta）、11A （Tc）ドライブ電圧（最高Rds、最低Rd......

MRF150 N/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路MRF150 指定 項目 価値 D/C 新しい 条件...

AOD442/AOI44260V NチャネルMOSFET 概説 AOD442/AOI442によって使用される高度の堀の技術への優秀なR DS （）および低いゲート充満を提供して下さい。それら装置は負荷スイッチとしてまたはPWMで使用のために適しています適用。 変数 .........

SSM6N48FU、RF （Dの指定 部分の状態 時代遅れ FETのタイプ...

RD06HVF1 MOS FETのタイプ トランジスター低い電力mosfet高圧力mosfet 記述 RD06HVF1はとりわけVHF RFの電力増幅器の塗布のために設計されているMOS FETのタイプ トランジスターです。 特徴の高い発電の利益: Pout>6W、Gp>.........