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Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

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PD57018-E RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター黒いRF MOSFETのトランジスター

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China PD57018-E RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター黒いRF MOSFETのトランジスター wholesale
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PD57018-E RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター黒いRF MOSFETのトランジスター
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型式番号 :PD57018-E
最低順序量 :1000
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :1日あたりの5k-10k
受渡し時間 :5-8の仕事日
包装の細部 :パッケージ:QFN
タイプ :集積回路
D/c :2021+
頻度-切換え :標準
出力電力 :18 W
最低の実用温度 :- 65 C
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製品名:PD57018-E PD57018-E RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター黒いRF MOSFETのトランジスター
製造業者:STMicroelectronics 製品カテゴリ:RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター
トランジスター極性:N-Channel 技術:Si
ID連続的な下水管の流れ:2.5 A Vds下水管源の絶縁破壊電圧:65ボルト
抵抗のRdsのオン下水管の源:760のmOhms 動作周波数:1つのGHz
利益:16.5のdB 出力電力:18 W
最低の実用温度:- 65 C 最高使用可能温度:+ 150 C
設置様式:SMD/SMT パッケージ/場合:PowerSO 10RF形作られる4
パッケージ:管 ブランド:STMicroelectronics
チャネル モード:強化 構成:単一
前方相互コンダクタンス-分:1つのS 高さ:3.5 mm
長さ:7.5 mm 湿気感受性:はい
Pd力の消滅:31.7 W 製品タイプ:RF MOSFETのトランジスター
シリーズ:PD57018-E 工場パッキングの量:400
下位範疇:MOSFETs タイプ:RF力MOSFET
Vgs -ゲート源の電圧:20ボルト 幅:9.4 mm
単位重量:3 g  

 

商品のタグ：

metal oxide semiconductor field effect transistor

igbt semiconductor

rf semiconductor
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