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6 年
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| 包装 | 切りなさいテープ（CT）を |
|---|---|
| 部分の状態 | Digiキーで中断される |
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 100V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 2.5A （Ta）、11A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 140 mOhm @ 4.5A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 2.8V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 540pF @ 50V |
| 電力損失（最高） | 2.1W （Ta）、45W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| 製造者装置パッケージ | TO-252、（D朴） |
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