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3 年
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プロダクト:HMC442LC3BTR RF力トランジスター
記述:
HMC442LC3BTRは高利得の宇宙航空および商業軍隊を含む広い応用範囲の使用のために適しているSiCのヘテロ接合FETの中型力GaNである。
特徴:
- 高利得、SiCのヘテロ接合FETの中型力GaN
- 出力電力50 W CW
- 10.2のdBの利益
- 28ボルト操作
- 高性能
- 高周波操作
- 低いゆがみ
- 高い直線性
- 低雑音
- 険しい構造
パッケージ:2 Pin TO-263パッケージ
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