BFS505 15V RF力トランジスター、18mA 9GHz 150mWの表面の台紙のトランジスター
型式番号:BFS505
原産地:中国
最低順序量:3000個
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオンの条件付捺印証書
供給の能力:60000PCS
受渡し時間:在庫あり
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確認済みサプライヤー
Shenzhen Guangdong China
住所：
No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
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内 41 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
BFS505 NPN PNPのトランジスターRFトランジスターNPN 15V 18mA 9GHz 150mW表面の台紙
NPN 9つのGHzの広帯域のトランジスター
特徴
•低い消費電流
•高い発電の利益
•低雑音図
•高い転移の頻度
•金のメタライゼーションは保障します
優秀な信頼性
•SOT323封筒。
記述
プラスチックSOT323のNPNのトランジスター
封筒。
それは低い電力のアンプのために意図されています、
発振器およびミキサー特に
RFのポータブル コミュニケーション
装置（コードレス携帯電話
電話、ポケベル） 2つまでのGHz。
| 製品特質 | すべてを選んで下さい |
| 部門 | 分離した半導体製品 |
| トランジスター- （BJT）両極- RF | |
| 製造業者 | NXP USA Inc。 |
| シリーズ | - |
| 包装 | テープ及び巻き枠(TR) |
| 部分の状態 | 時代遅れ |
| トランジスター タイプ | NPN |
| 電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） | 15V |
| 頻度-転移 | 9GHz |
| 雑音指数（f） dB Typ @ | 1.2dB | 2.1dB @ 900MHz |
| 利益 | - |
| パワー最高 | 150mW |
| DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce | 60 @ 5mA、6V |
| 現在-コレクター（（最高） IC） | 18mA |
| 実用温度 | 175°C （TJ） |
| 土台のタイプ | 表面の台紙 |
| パッケージ/場合 | SC-70、SOT-323 |
| 製造者装置パッケージ | SOT-323-3 |
デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社
www.icmemorychip.com
電子メール:sales@deli-ic.com
Skype:hksunny3
TEL:86-0755-82539981
BFS505 15V RF力トランジスター、18mA 9GHz 150mWの表面の台紙のトランジスター
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