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BFS505 15V RF力トランジスター、18mA 9GHz 150mWの表面の台紙のトランジスター

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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BFS505 15V RF力トランジスター、18mA 9GHz 150mWの表面の台紙のトランジスター

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型式番号 :BFS505
原産地 :中国
最低順序量 :3000個
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオンの条件付捺印証書
供給の能力 :60000PCS
受渡し時間 :在庫あり
包装の細部 :3000pcs/reel
カテゴリ :トランジスター- (BJT)両極- RF
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) :15V
頻度-転移 :9GHz
雑音指数(f) dB Typ @ :1.2dB | 2.1dB @ 900MHz
パワー最高 :150mW
DCの現在の利益(hFE) (分) @ IC、Vce :60 @ 5mA、6V
現在-コレクター((最高) IC) :18mA
動作温度 :175°C (TJ)
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BFS505 NPN PNPのトランジスターRFトランジスターNPN 15V 18mA 9GHz 150mW表面の台紙

NPN 9つのGHzの広帯域のトランジスター

 

特徴
 
•低い消費電流
•高い発電の利益
•低雑音図
•高い転移の頻度
•金のメタライゼーションは保障します
優秀な信頼性
•SOT323封筒。
 
記述
 
プラスチックSOT323のNPNのトランジスター
封筒。
それは低い電力のアンプのために意図されています、
発振器およびミキサー特に
RFのポータブル コミュニケーション
装置(コードレス携帯電話
電話、ポケベル) 2つまでのGHz。

 

製品特質 すべてを選んで下さい
部門 分離した半導体製品
  トランジスター- (BJT)両極- RF
製造業者 NXP USA Inc。
シリーズ -
包装 テープ及び巻き枠(TR)
部分の状態 時代遅れ
トランジスター タイプ NPN
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) 15V
頻度-転移 9GHz
雑音指数(f) dB Typ @ 1.2dB | 2.1dB @ 900MHz
利益 -
パワー最高 150mW
DCの現在の利益(hFE) (分) @ IC、Vce 60 @ 5mA、6V
現在-コレクター((最高) IC) 18mA
実用温度 175°C (TJ)
土台のタイプ 表面の台紙
パッケージ/場合 SC-70、SOT-323
製造者装置パッケージ SOT-323-3

 

 

BFS505 15V RF力トランジスター、18mA 9GHz 150mWの表面の台紙のトランジスター

 

 

 

 

デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社
www.icmemorychip.com
電子メール:sales@deli-ic.com
Skype:hksunny3
TEL:86-0755-82539981

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