3トランジスターに

STD12N10L MOSFETのトランジスターとの強力な性能を得なさいSTD12N10L MOSFETのトランジスターの使用の賛否両論 あなたの電子デバイスからの強力な性能のシーカーとして、多分STD12N10L MOSFETのトランジスターに出くわした。これらのトランジスター部品は並ぶも.........

単一のトランジスター両極NPN 100V 65W 6A両極トランジスターTIP41C プロダクト 記述: 、NPN両極、1.TIP41C単一のトランジスター100ボルト、65 W、6 Aの75 hFE2. TIP41CのNPNのトランジスター、6 A、Vce=100 V、HFE:15のパッケージ........

ONSEMI TIP31CG 3A 100V 40W NPNトランジスタ TIP31C NPNタイプトランジスタ TIP31C トランジスタTO-220-3 3AMPER パワートランジスタ 補完シリコン 40−60−80−100VOLTS, 40WATTS 特徴 • 高電流増幅 − 帯域幅製品........

TIP120 Npn 高周波トリオードトランジスタ MOSFET Nチャネルトランジスタ 150V 104A TO220AB TIP120 製品パラメータ 製造者: スタンダード パッケージ: トューブ 製品カテゴリー: MOSFET ブランド: 標準.........

高い入力インピーダンスNチャネルのトランジスター、分野放出トランジスター600V Nチャネルのトランジスター特徴 高い入力インピーダンスおよび低レベル ドライブ テストされるなだれエネルギー 改善されたdv/dtの機能、高い険しさ Nチャネルのトランジスター塗布 高.........

MJE3055T TO-220の補足のケイ素のプラスチック力トランジスター 記述 10アンペア補足のケイ素力トランジスター− 60ボルトの75ワット 能力をの扱う力に2つの限定があるトランジスター:平均接合部温度および第2故障。安全運転区域のカーブはICの− VCEを.........

新しい元のSAK-TC397XX-256F300S BD BGA-29 ICの破片の集積回路SAK-TC397XXの電子部品、トランジスター 私達はちょうど私達に知らせなさいもしこれらの項目のうちのどれかがあなたに興味なら、新しい及び元の項目を提供する。私達は私達の最もよい価格引用する.........

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機械を形作る自動管でいっぱいのトランジスター鉛の切断 イントロ: RS-909Bは管でいっぱいのトランジスター鉛の形成のため特にです。任意送り装置ボールは緩いトランジスターを形作るために働きます。私達は顧客の予算によって機械を形作るトランジスター鉛の異なったモデルを提供します。.........

高い発電NPNのエピタキシアル平面の両極トランジスターd1047 b817 製品の説明 記述装置は新しいビットLA （線形アンプのための両極トランジスター）の技術を使用して製造されたNPNのトランジスターである。生じるトランジスターよい利益直線性の行動を示す。 特徴- 高い絶縁破壊電圧VCEO =.......

RD06HVF1 RF POWER MOSFET Silicon Transistor 175MHz 6W 増幅器アプリケーション向け RD06HVF1の説明 RD06HVF1 は、VHF RF パワーアンプ アプリケーション向けに特別に設計された MOS FET タイプのトランジスタです。 ......

G40N60UFDダイオード600V 40A 160W、TO-3Pで造られるを用いる超高速IGBTのトランジスターNチャネル 記述: フェアチャイルドのUFDの一連のInsulatedゲートの両極トランジスター(IGBTs)は低い伝導および切換えの損失を提供します。UFDシリーズは運動制御.........

BS816A-1 Pチャネル強化モード DMOSトランジスタ RFトランジスタ 製造者: ダイオード 製品カテゴリー: Pチャネル強化 RoHS について 詳細 マウントスタイル: - パッケージ/ケース: 16NSOP パッケージ: スタンダード 単位重量: - オ.........

SOT-89-3Lはトランジスター2N3906トランジスター（NPN）をプラスチック内部に閉じ込めます。 特徴 Ÿ PNPのケイ素の転換およびアンプの塗布のためのエピタキシアル平面トランジスター 補足のタイプとしてŸは、NPNのトランジスター2N3904推薦されます Ÿ.........

一般目的 電界効果トランジスタ のトランジスター/一般目的 NPN のトランジスター 一般目的のトランジスター • コレクター エミッターの電圧: VCEO= 60V • コレクターの電力損失: PC （最高の） =625mW • グラフのための KSP2907 を.........

PLC DCトランジスタMOSFETモジュール24Vトリガ8 CHホームインテリジェント制御用 トランジスタとは 固体半導体デバイスであるトランジスタは、検出、整流、増幅、スイッチング、調整、信号変調、および他の多くの機能に使用できます。 トランジスタは、入力電圧に基づいて電流の流出を制御する.........