PD57018-E RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター黒いRF MOSFETのトランジスター
型式番号:PD57018-E
最低順序量:1000
支払の言葉:T/T
供給の能力:1日あたりの5k-10k
受渡し時間:5-8の仕事日
包装の細部:パッケージ:QFN
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 22 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
| 製品名:PD57018-E | |
| 製造業者:STMicroelectronics | 製品カテゴリ:RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター |
| トランジスター極性:N-Channel | 技術:Si |
| ID連続的な下水管の流れ:2.5 A | Vds下水管源の絶縁破壊電圧:65ボルト |
| 抵抗のRdsのオン下水管の源:760のmOhms | 動作周波数:1つのGHz |
| 利益:16.5のdB | 出力電力:18 W |
| 最低の実用温度:- 65 C | 最高使用可能温度:+ 150 C |
| 設置様式:SMD/SMT | パッケージ/場合:PowerSO 10RF形作られる4 |
| パッケージ:管 | ブランド:STMicroelectronics |
| チャネル モード:強化 | 構成:単一 |
| 前方相互コンダクタンス-分:1つのS | 高さ:3.5 mm |
| 長さ:7.5 mm | 湿気感受性:はい |
| Pd力の消滅:31.7 W | 製品タイプ:RF MOSFETのトランジスター |
| シリーズ:PD57018-E | 工場パッキングの量:400 |
| 下位範疇:MOSFETs | タイプ:RF力MOSFET |
| Vgs -ゲート源の電圧:20ボルト | 幅:9.4 mm |
| 単位重量:3 g |
PD57018-E RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター黒いRF MOSFETのトランジスター
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