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PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF力トランジスターMOSFETS
PD85035-Eは共通のソースのN-channel、強化モード側面field-effect RF力である
トランジスター。それは高利得の、広帯域商業および産業適用のために設計されている。
それは1つまでのGHzの頻度で共通のソースモードの13.6ボルトで作動する。
PD85035-EはSTで最初の本当に取付けられる最も最近のLDMOSの技術の優秀な利益、直線性および信頼性を自慢する
SMDプラスチックRF力のパッケージ、PowerSO-10RF。
PD85035 Eの優秀な直線性の性能はそれに車の移動式ラジオのための理想的な解決をする。
高い信頼性を提供するように設計されているPowerSO-10プラスチック パッケージは最初のST JEDECである
承認された、高い発電SMDのパッケージ。それはRFの必要性および提供のために特に最大限に活用された
アセンブリの優秀なRFの性能そして容易さ。
RF Mosfet 13.6 V 150 mA 870MHz 16dB 15W PowerSO-10RF （（まっすぐな鉛の）/鉛を形作った）
部門 | 電子部品 |
RF力トランジスター | |
Mfr | ST |
シリーズ | MOSFETS |
プロダクト状態 | 活動的 |
タイプ | LdmoSTのプラスチック家族 |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
パッケージ/場合 | PowerSO-10RF |
製造者装置パッケージ | PowerSO-10RF （まっすぐな鉛） （鉛を形作った） |
基礎プロダクト数 | PD85035 |
| 属性 | 記述 |
|---|---|
| RoHSの状態 | 迎合的なRoHS |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8543.70.9860 |
ほとんどの普及した力のField-Effectのトランジスター:PD85035
| IPD90P04P4L04ATMA1 | SI7431DP-T1-GE3 | NTF2955T1G |
| IPD90P04P4L04ATMA2 | FDN5618P | BSP318SH6327XTSA1 |
| SUM110P08-11L-E3 | SI7431DP-T1-GE3 | NDT3055L |
| BSS123 | IRFP4137PBF | IPD50P04P4L11ATMA2 |
| IPB017N10N5LFATMA1 | IPD90P04P405ATMA1 | SI7431DP-T1-E3 |
| 2N7002BKW、115 | BSC014N06NSATMA1 | SI7431DP-T1-E3 |
| BSS123 | NTD20P06LT4G | IRLML9301TRPBF |
| NDT2955 | IRLML2502TRPBF | IRF4905STRLPBF |
| IRLML6402TRPBF | BSP315PH6327XTSA1 | SPP08N80C3XKSA1 |
| IPD50P04P4L11ATMA1 | IRLML6401TRPBF | BSP135H6327XTSA1 |