pチャネルモスフェットトランジスタ

IRF640NSTRLPBF NチャネルMOSFETのトランジスター200V表面の台紙D2PAK 商品は調節する: 真新しい 部分の状態: 活動的 無鉛/Rohs: 不平 機能: Mosfet タイプの.........

OEM NチャネルMosfetのトランジスター、小さいMosfetの電源スイッチの強化モード NチャネルMosfetのトランジスター記述 UTC 12N60-Cは速い切換えの時間、低いゲート充満、低いオン州の抵抗および高く険しいなだれの特徴のようなよりよい特徴を、持つように設計されている.........

NTR4003NT1G MOSFETのパワー エレクトロニクス N-Channel MOSFETのトランジスターTO-236-3解決の切換えの拡大の適用 FETのタイプ N-Channel......

IRF640NSTRLPBF NチャネルMOSFETトランジスタ200V 18A（Tc）150W（Tc）表面実装D2PAK 先端プロセス技術 ダイナミックdv / dt定格175℃動作温度 ファストスイッチング完全雪崩評価 並列化の容易さ シンプルなドライブ要件 説明 インターナショナ.........

FDMS6681Z MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFNオリジナルMosfetのトランジスター プロダクト 記述: 1. フェアチャイルドの半導体FDMS6681Zのトランジスター、MOSFETのP-channel、-49A、-30V.........

NチャネルのMOSFETsのトランジスターIPBE65R115CFD7A集積回路の破片650V TO-263-8 IPBE65R115CFD7Aの製品の説明 IPBE65R115CFD7A 650VのN-ChannelのMOSFETsのトランジスターは、パッケージTO-263-.........

IXFK27N80Q NチャネルMosfet 800V 27A 0.32 Rds力のMOSFETs HiPerFET 記述 HiPerFETTM力のMOSFETs Q-CLASS 単一MOSFETは死ぬ N-Channelの強化モードなだれは、低いQg、高いdV/dtの低いtrr評価した.........

高性能N-channel MOSFETFQPF10N65C -すべてのあなたの力の必要性のための最終的なMOSFET FQPF10N65Cを導入する、心の極度な効率そして信頼性と設計されている強力なN-channel MOSFET。この高性能MOSFETはそれにあなたの力の必要性のための最終.........

プロダクト細部 包装テープ及び巻き枠（TR）部分の状態活動的FETのタイプP-Channel技術MOSFET （金属酸化物）流出させなさいに源の電圧（Vdss）30V現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C4A （Ta）ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）2.5V、10V（最高） @ ID、Vg......

MOSFET力トランジスターを転換するIRF640NPBFのすくいTRANS Nチャネル200V 18A記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETの®力MOSFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFE.........

ISO9001.pdf 適用:IPD80R1K4P7は高性能DC-DCのコンバーターおよび電源の塗布で一般的なN-channel MOSFETのトランジスターである。それは低電圧で作動でき、低電圧の適用でそれを使用のために非常に適したようにする低い抵抗および高い切り替え速度がある。結論:IPD80.......

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製品説明: 高電圧MOSFETは,高電圧アプリケーションのために設計された電源モスフェットの一種である.その特徴は,組み込まれたFRD高電圧MOSFET技術,超高電圧MOSFETアプリケーション組み込みのFRD HV MOSFET技術は,モーターシリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回........

製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........

D2003UKのN/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路D2003UK 指定 項目 価値 D/C 新しい 条件...

D1028UK RF MOSFET トランジスタ RF MOSFET N-CH 70V 30A 5ピンケース DR 製造者: TT電子 製品カテゴリー: RF MOSFET トランジスタ トランジスタの偏性: Nチャンネル テクノロジー そうだ Id - 連続流出電流:.........

SI2301CDS -T1 - E3高い発電mosfetのトランジスターP -チャネル20-V （D-S） MOSFETPチャネル20-V （D-S） MOSFET 特徴 •利用できるハロゲンなしの選択 •TrenchFET®力MOSFET 適用 •負荷スイッチ .........

FCB36N60NTM MOSFETのトランジスター分離した半導体の原物 製品特質 属性値 製品カテゴリ: MOSFET 技術: Si 様式の取付け: SMD/SMT......

製品範囲 STB24N60DM2半導体は分離したMosfetのトランジスター電界効果トランジスタに動力を与える N-Channel N-channel 600 V、0.13 Ωのタイプ。、Dの²朴の21のMDmesh™ DM2力のMOSFETs、TO-220およびTO-247パッケージ.........