OEM NチャネルMosfetのトランジスター、小さいMosfetの電源スイッチの強化モード
型式番号:12N60
原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
受渡し時間:1 - 2 週
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Shenzhen Guangdong China
住所：
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 14 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
OEM NチャネルMosfetのトランジスター、小さいMosfetの電源スイッチの強化モード
NチャネルMosfetのトランジスター記述
UTC 12N60-Cは速い切換えの時間、低いゲート充満、低いオン州の抵抗および高く険しいなだれの特徴のようなよりよい特徴を、持つように設計されている高圧力MOSFETです。この力MOSFETは通常切換えの電源およびアダプターの高速切換えの適用で使用されます。
NチャネルMosfetのトランジスター特徴
* RDS（）< 0=""> GS = 10ボルト、ID = 6.0 A
*速い切換えの機能
*テストされるなだれエネルギー
*改善されたdv/dtの機能、高い険しさ
発注情報
| 注文番号 | パッケージ | ピン アサイン | パッキング | |||
| 無鉛 | ハロゲンは放します | 1 | 2 | 3 | ||
| 12N60L-TF1-T | 12N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | 管 |
| 12N60L-TF3-T | 12N60G-TF3-T | TO-220F | G | D | S | 管 |
注:ピン アサイン:G:ゲートD:下水管S:源
絶対最高評価（TC = 25°С、他に特に規定がなければ）
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | TYP | MAX | UNI T | |
| 特徴を離れて | |||||||
| 下水管源の絶縁破壊電圧 | BVDSS | VGS=0V、ID=250μA | 600 | V | |||
| 下水管源の漏出流れ | IDSS | VDS=600V、VGS=0V | 1 | μA | |||
| ゲートの源の漏出流れ | 前方 | IGSS | VGS=30V、VDS=0V | 100 | nA | ||
| 逆 | VGS=-30V、VDS=0V | -100 | nA | ||||
| 特徴 | |||||||
| ゲートの境界の電圧 | VGS （TH） | VDS=VGS、ID=250μA | 2.0 | 4.0 | V | ||
| 静的な下水管源のオン州の抵抗 | RDS （） | VGS=10V、ID=6.0A | 0.7 | Ω | |||
| 動特性 | |||||||
| 入力キャパシタンス | CISS |
VGS=0V、VDS=25V、f =1.0 MHz | 1465 | pF | |||
| 出力キャパシタンス | COSS | 245 | pF | ||||
| 逆の移動キャパシタンス | CRSS | 57 | pF | ||||
| 切換えの特徴 | |||||||
| 総ゲート充満（ノート1） | QG | VDS=50V、ID=1.3A、IG=100μA VGS=10V （ノート1,2） | 144 | NC | |||
| ゲート源充満 | QGS | 10 | NC | ||||
| ゲート下水管充満 | QGD | 27 | NC | ||||
| 遅れ時間（ノート1）回転 | tD （） |
VDD =30V、ID =0.5A、 RG =25Ω、VGS=10V （ノート1,2） | 81 | ns | |||
| 上昇時間回転 | tR | 152 | ns | ||||
| 回転遅れ時間 | tD （） | 430 | ns | ||||
| 回転落下時間 | tF | 215 | ns | ||||
| DRAIN-SOURCEのダイオード特徴および最高の評価 | |||||||
| 最高の連続的な下水管源のダイオードは流れを進めます | IS | 12 | A | ||||
最高はダイオード下水管源の脈打ちました 前方流れ | 主義 | 48 | A | ||||
| 下水管源のダイオード前方電圧 | VSD | VGS=0 V、IS=6.0 A | 1.4 | V | |||
| 逆の回復時間 | trr | VGS=0 V、IS=6.0 A、 ディディミアムF/dt=100 A/μs （ノート1） | 336 | ns | |||
| 逆の回復充満 | Qrr | 2.21 | μC | ||||
注:1.絶対最高評価は装置が永久に損なうことができるそれらの価値です。
絶対最高評価は圧力の評価だけであり、機能装置操作は意味されません。
4. 反復的な評価:最高の接合部温度によって限られる脈拍幅。
5. L = 84mH、=1.4AとしてI、VDD = 50V、RG = Tを始める25 ΩJ = 25°C
6. ISDの≤ 2.0A、di/dt ≤200A/μs、Tを始めるVDD ≤BVDSSJ = 25°C
電気特徴（TJ = 25°С、他に特に規定がなければ）
| 変数 | 記号 | 条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| 特徴を離れて | ||||||
| 下水管源の絶縁破壊電圧 | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 100 | 110 | - | V |
| ゼロ ゲートの電圧下水管の流れ | IDSS | VDS=100V、VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| ゲート ボディ漏出流れ | IGSS | VGS=±20V、VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 特徴（ノート3） | ||||||
| ゲートの境界の電圧 | VGS （Th） | VDS=VGS、ID=250μA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
| 下水管源のオン州の抵抗 | RDS （） | VGS=10V、ID =8A | 98 | 130 | mのΩ | |
| 前方相互コンダクタンス | gFS | VDS=25V、ID=6A | 3.5 | - | - | S |
| 動特性（Note4） | ||||||
| 入力キャパシタンス | Clss |
VDS=25V、VGS=0V、F=1.0MHz | - | 690 | - | PF |
| 出力キャパシタンス | Coss | - | 120 | - | PF | |
| 逆の移動キャパシタンス | Crss | - | 90 | - | PF | |
| 切換えの特徴（ノート4） | ||||||
| 遅れ時間回転 | td （） |
VDD=30V、ID=2A、RL=15Ω VGS=10V、RG=2.5Ω | - | 11 | - | nS |
| 上昇時間回転 | tr | - | 7.4 | - | nS | |
| 回転遅れ時間 | td （） | - | 35 | - | nS | |
| 回転落下時間 | tf | - | 9.1 | - | nS | |
| 総ゲート充満 | Qg |
VDS=30V、ID=3A、VGS=10V | - | 15.5 | NC | |
| ゲート源充満 | Qgs | - | 3.2 | - | NC | |
| ゲート下水管充満 | Qgd | - | 4.7 | - | NC | |
| 下水管源のダイオード特徴 | ||||||
| ダイオード前方電圧（ノート3） | VSD | VGS=0V、IS=9.6A | - | - | 1.2 | V |
| ダイオードの前方流れ（ノート2） | IS | - | - | 9.6 | A | |
| 逆の回復時間 | trr | TJ = 25°C、=9.6Aなら di/dt = 100A/μs（Note3） | - | 21 | nS | |
| 逆の回復充満 | Qrr | - | 97 | NC | ||
| 時間回転に進めて下さい | トン | 時間回転の真性は僅かです（回転でLS+LDによって支配されます） | ||||
基本的に実用温度の独立者。注:1.脈拍テスト:脈拍幅の≤ 300µsの使用率の≤ 2%。
OEM NチャネルMosfetのトランジスター、小さいMosfetの電源スイッチの強化モード
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