無鉛NチャネルMosfetのトランジスター、200V 18A高速MosfetのトランジスターIRF640NPBF
型式番号:IRF640NPBF
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPal
供給の能力:100000pcs
受渡し時間:1-3days
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Shenzhen China
住所：
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
MOSFET力トランジスターを転換するIRF640NPBFのすくいTRANS Nチャネル200V 18A
記述
国際的な整流器からの第5世代HEXFETの®力MOSFET
sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。
TO-220パッケージはおよそ50ワットへの電力損失のレベルのすべての商業産業適用のために一般に好まれる。TO-220の低い熱抵抗そして低いパッケージの費用は企業中の広い受諾に貢献する。
D2朴はHEX-4まで死ぬ収容するサイズことができる表面の台紙力のパッケージである。それはあらゆる既存の表面の台紙のパッケージの高い発電の機能そして最も低く可能なオン抵抗を提供する。D2朴は低い内部関係の抵抗のために高い現在の適用のために適して、典型的な表面の台紙の塗布の2.0Wまで散ることができる。
によ穴版（IRF640NL）は控えめな適用のために利用できる。
特徴
lは加工技術を進めた
l動的dv/dtの評価
Tのemperatureを作動させるl 175°C
l速い切換え
評価される十分にlなだれ
平行になることのl容易さ
l簡単なドライブ条件
無鉛l
パッケージ
無鉛NチャネルMosfetのトランジスター、200V 18A高速MosfetのトランジスターIRF640NPBF
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