IRF640NSTRLPBF NチャネルMosfetのトランジスター200V表面の台紙D2PAK

型式番号:IRF640NSTRLPBF
原産地:CN
最低順序量:100個
支払の言葉:トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力:1年ごとの100Kpcs
受渡し時間:1-2 営業日
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Shenzhen Guangdong China
住所: C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細
IRF640NSTRLPBF NチャネルMOSFETトランジスタ200V 18A(Tc)150W(Tc)表面実装D2PAK


先端プロセス技術

ダイナミックdv / dt定格175℃動作温度

ファストスイッチング完全雪崩評価

並列化の容易さ

シンプルなドライブ要件


説明

インターナショナルレクティファイアーの第5世代HEXFET®パワーMOSFETは、高度な処理技術を利用して、シリコン面積あたりのオン抵抗を極めて低く抑えています。 この利点は、HEXFETパワーMOSFETがよく知られている高速スイッチング速度と高耐圧デバイス設計と相まって、非常に効率的で信頼性の高いデバイスを幅広いアプリケーションに使用することができます。 TO-220パッケージは、すべての商用アプリケーション向けに、消費電力レベルが約50ワットに普及しています。 TO-220の低熱抵抗と低パッケージコストは、業界全体で広く受け入れられています。 D2Pakは、HEX-4までのダイサイズに対応できる表面実装電源パッケージです。 既存の表面実装パッケージで最高の電力性能と最小限のオン抵抗を実現します。 D2Pakは、内部接続抵抗が低いため、高電流アプリケーションに適しており、標準的な表面実装アプリケーションでは最大2.0Wまで放散することができます。 スルーホール版(IRF640NL)は低プロファイルアプリケーションに対応しています。


メーカーインフィニオンテクノロジーズ
シリーズHEXFET®
パッケージングテープ&リール(TR)
部品ステータスアクティブ
FETタイプNチャネル
技術MOSFET(金属酸化膜)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss)200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id)18A(Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)10V
Vgs(th)(Max)@ Id4V @250μA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs67nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds2560V、@ 1160pF
FET機能-
消費電力(最大)150W(Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs150 mOh @ 11A、10V
動作温度-55℃〜175℃(TJ)
取付タイプ表面実装
サプライヤデバイスパッケージD2PAK
パッケージ/ケースTO-263-3、D²Pak(2リード+タブ)、TO-263AB

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China IRF640NSTRLPBF NチャネルMosfetのトランジスター200V表面の台紙D2PAK supplier

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