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包装 | テープ及び巻き枠(TR) |
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部分の状態 | 活動的 |
FETのタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 30V |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 4A (Ta) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 2.5V、10V |
(最高) @ ID、VgsのRds | 44 mOhm @ 4.3A、10V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 1.3V @ 250µA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 12.2nC @ 4.5V |
Vgs (最高) | ±12V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 1200pF @ 15V |
電力損失(最高) | 1.4W (Ta) |
実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
製造者装置パッケージ | SOT-23-3L |
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