限られるシンセンResの電子工学

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FDMS6681Z 30V PチャネルMosfetのトランジスター21.1A 49A 8PQFN

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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FDMS6681Z 30V PチャネルMosfetのトランジスター21.1A 49A 8PQFN

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型式番号 :FDMS6681Z
原産地 :アメリカ
包装の細部 :元のパッケージ
最低順序量 :discussible
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :10000pcs/one月
受渡し時間 :5-30days
タイプ :Mosfet
適用 :標準
製造者のタイプ :元の製造業者、ODMの代理店、小売商、他
利用できる媒体 :データ用紙、写真、EDA/CADは、他模倣する
ブランド :Mosfet
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) :30ボルト
実用温度 :-55 ℃~150 ℃
タイプの取付け :表面の台紙
パッケージ/場合 :パワー56 8、力56
流出させなさいに源の電圧(Vdss) :30ボルト
要素の数 :1
ピンの数 :8
最高使用可能温度 :150 °C
最高の電力損失 :73 W
最低の実用温度 :-55 °C
上昇時間 :38 ns
Turn-Off遅れ時間 :260 ns
チャネルの数 :1
スケジュールB :8541290080
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FDMS6681Z MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFNオリジナルMosfetのトランジスター

 

プロダクト 記述:

 

1. フェアチャイルドの半導体FDMS6681Zのトランジスター、MOSFETのP-channel、-49A、-30V、0.0027Ohm、-10V、-1.7V
2。FDMS6681ZはA-30VのP-channelのPowerTrench®のMOSFEts特に合ったオン州の抵抗を最小にし、優秀な転換の性能のための低いゲート充満を維持するためにである
3.典型的な8kVのHBM ESDの保護レベル

 

科学技術変数:

 

下水管源の抵抗 0.0027ω
極性 P - チャネル
放蕩力 73 W
下水管源の電圧 30ボルト
上昇時間 38 ns
評価される力(最高) 2.5W
降下の時間 197 ns
実用温度 -55℃ | 150℃ (TJ)
ピン ナンバー 8
カプセル封入 テープ及び巻き枠(TR)

カスタマー サービス:

1. BOMのリストを支えるか。

当然、私達にBOMを提供する専門のチームがある。

2. 次示されている。MOQの後ろか。

私達のMOQは適用範囲が広く、あなたの必要性に従って最低10部分を、提供することができる。

3. 調達期間についての何か。

沈殿物を受け取った後、私達は商品を詰め、配達のための兵站学に連絡することを整理する。持続期間は3-7日である。

4. 私達の利点か。

1. 安定した、十分な供給

2. 競争価格

3. 豊富なBOMの経験

4. 完全な売り上げ後のサービス

5. 専門の検定証

5. 私達のサービスか。

支払方法:T/T、L/C、D/P、D/A、MoneyGramの、ウェスタン・ユニオンpaypalのクレジット カード現金、条件付捺印証書、Alipay…

6. 交通機関:

DHL、TNT、Federal Express、EMS、DEPXの空気、海の船積み

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