NTR4003NT1G MOSFETのパワー エレクトロニクスのN-Channel MOSFETのトランジスターTO-236-3解決の切換えの拡大の適用

型式番号:NTR4003NT1G
原産地:原物
最低順序量:1
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製品詳細
NTR4003NT1G MOSFETのパワー エレクトロニクス
N-Channel MOSFETのトランジスターTO-236-3解決の切換えの拡大の適用

 

 

 

FETのタイプ
技術
MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
2.5V、4V
(最高) @ ID、VgsのRds
1.5Ohm @ 10mA、4V
Vgs ((最高) Th) @ ID
1.4V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
1.15のNC @ 5ボルト
Vgs (最高)
±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
21 pF @ 5ボルト
FETの特徴
-
電力損失(最高)
690mW (Ta)
実用温度
-55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け
製造者装置パッケージ
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/場合

 

 

 

 

 

NTR 4003 NT1GはTO-236-3パッケージが付いているP-Channelの強化モードMOSFETであるオン州の抵抗を最小にし優秀な転換の性能を提供することを設計する

 

 

 

装置は-20ボルト作動の下水管源の電圧および-3 A連続的な下水管の流れを備えているそれは低電圧高周波インバーター使用のために適していたり回転および極性の保護適用を解放する装置はまた迎合的な自由なRoHSおよびハロゲンであるNTR 4003 NT1Gは+150°C.-55 °C広い温度較差上の信頼できる操作を提供するために保証される

 

 

 

 

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