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FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET (金属酸化物) | |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | ||
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | ||
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 2.5V、4V | |
(最高) @ ID、VgsのRds | 1.5Ohm @ 10mA、4V | |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 1.4V @ 250µA | |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 1.15のNC @ 5ボルト | |
Vgs (最高) | ±20V | |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 21 pF @ 5ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失(最高) | 690mW (Ta) | |
実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | |
パッケージ/場合 |
NTR 4003 NT1GはTO-236-3パッケージが付いているP-Channelの強化モード力MOSFETである。オン州の抵抗を最小にし、優秀な転換の性能を提供することを設計する。
装置は-20ボルトの作動の下水管源の電圧および-3 Aの連続的な下水管の流れを備えている。それは低電圧、高周波インバーターの使用のために適していたり、回転、および極性の保護適用を解放する。装置はまた迎合的な自由なRoHSおよびハロゲンである。NTR 4003 NT1Gは+150°C.に-55 °Cの広い温度較差上の信頼できる操作を提供するために保証される。
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