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ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社

シティ：shenzhen

国/地域：china

連絡窓口：MsDoris Guo

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FDS6681Zの高い発電P Mosfetスイッチ回路、PチャネルMosfetの運転者回路

最新の価格を尋ねる

型式番号 :FDS6681Z

最低順序量 :私達に連絡しなさい

支払の言葉 :Paypal、ウェスタンユニオン、TT

供給の能力 :1日あたりの50000部分

受渡し時間 :商品は一度3日以内に受け取った資金を出荷される

包装の細部 :SOP8

記述 :P-Channel 30 V 20A （Ta）の2.5W （Ta）表面の台紙8-SOIC

単位重量 :0.004586 oz

製品タイプ :MOSFET

最低の実用温度 :- 55 C

最高使用可能温度 :+ 150 C

チャネルの数 :1つのチャネル

トランジスター極性 :P-Channel

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製品の説明を表示

FDS6681Z Mosfet力トランジスターMOSFET 30VのP-ChannelのPowerTrench MOSFET

概説の特徴

このP-Channel MOSFETはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った高度のPowerTrench®プロセスを使用して作り出される。

この装置はノートパソコンおよび携帯用電池のパックで共通力管理および負荷転換の塗布のためにうってつけである。

特徴
•電池の塗布のための延長VGSSの範囲（– 25V）

•典型的な8kVのHBM ESDの保護レベル（ノート3）•非常にのための高性能の堀の技術

低いRDS （）
•高い発電および現在の処理の機能
•TerminationisLead-freeandRoHSCompliant