Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Manufacturer from China
サイト会員
8 年
ホーム / 製品 / Mosfet Power Transistor /

穴TO-247ACを通したIRFP260NPBF Mosfet力トランジスター64-6005PBF N-チャネルMOSFET 200V 50A 300W

企業との接触
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MrZhu
企業との接触

穴TO-247ACを通したIRFP260NPBF Mosfet力トランジスター64-6005PBF N-チャネルMOSFET 200V 50A 300W

最新の価格を尋ねる
型式番号 :IRFP260NPBF
原産地 :中国
最低順序量 :10個
支払の言葉 :ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力 :20KPCS
受渡し時間 :2〜3営業日
包装の細部 :25/tube
FETのタイプ :N-Channel
源の電圧に流出させなさい :200V
現在-連続的な下水管 :50A
電力損失 :300W
実用温度 :-55°C | 175°C
more
企業との接触

Add to Cart

類似の動画を探す
製品の説明を表示

迎合的な穴TO-247AC RoHSを通したIRFP260NPBFのN-Channel MOSFET 200V 50A 300W

他の名前:64-6005PBF

特徴
lは加工技術を進めた
l動的dv/dtの評価
l 175°Cの実用温度
l速い切換え
評価される十分にlなだれ
平行になることのl容易さ
l簡単なドライブ条件
無鉛l
 
FETのタイプ N-Channel  
技術 MOSFET (金属酸化物)  
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 200V  
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 50A 
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 10V  
(最高) @ ID、VgsのRds 40 mOhm @ 28A、10V  
Vgs ((最高) Th) @ ID 4V @ 250µA  
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 234nC @ 10V  
Vgs (最高) ±20V  
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 4057pF @ 25V  
FETの特徴 -  
電力損失(最高) 300W (Tc)  
実用温度 -55°C | 175°C (TJ)  
タイプの取付け 穴を通して  
製造者装置パッケージ TO-247AC

 

在庫の他の電子部品のリスト
SN75LVCP422DBR チタニウム   MAX6802UR46D3+T 格言
PI3PCIE2415ZHEX PERICOM   BD33KA5FP ROHM
MT58L32L32PT10A ミクロン   5P49V5901A618NLGI8 IDT
DS1225Y-150+ ダラス   STM32F417IGT6 ST
AZ1065-06Q 驚かせること   MAX691AEWE+T 格言
ADS800U BB   EP2S30F672C5 ALTERA
TMP86CH29BFG-6BJ5 東芝   HL01R05D15ZC C&D
MC10H164L MOT   DF9-31P-1V (32) HIROSE
VT1602 を経て   APR3011-30AI-TRG ANPEC
RT2820L RALINK   SGM6014-ADJYTD10G/TR SGMICRO
LFCN-490+ 小型   LMX5212XOA WISEVIEW
DS90LV031ATMX NSC   L800BT70VC AMD
NTD4858NG   TW2804-FE TECHWELL
MX25L25635EMI-12G MXIC   TPS7148QP チタニウム
LTC1446LIS8#TRPBF 線形   SC4901ITSTRT SEMTECH
ISL6261AKRZ INTERSIL   RUM002N02 ROHM
IPD50N10S3L-16 INFINEON   NTGS3455T1
CBM1180 CHIPSBANK   MP6900DJ-LF-P MPS
74ACTQ32SCX フェアチャイルド   MMB5234BLT1G
MMBZ6V2AL-7-F ダイオード   LD7560GS LEADTRE
お問い合わせカート 0