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Nは、InSbの基質、3"、模造の等級タイプします
PAM-XIAMENは磁気抵抗を使用してフォトダイオードのための高い純度の単結晶のInSb （インジウムのアンチモン化物）のウエファーをかphotoelectromagnetic装置、磁界センサーまたはSpitzerの宇宙望遠鏡の赤外線配列のカメラの探知器のいくつかのInSbの高いキャリア移動度に、よるホール効果素子、速いトランジスター（動的切換えの点では）製造します。私達の標準的なウエファーの直径は磨かれたウエファーおよび空白のウエファーとのさまざまな厚さそして異なったオリエンテーション（100）で1インチから3インチ、ウエファーまで、（111）、（110）作り出すことができます及びます。PAM-XIAMENは広い範囲の等級を作り出すことができます:主な等級、テスト等級、模造の等級、機械等級および光学等級。PAM-XIAMENはまた注文の構成に加えて要求によってコマーシャルおよび研究の塗布および新しい専有技術のための顧客の指定にInSbの文書を、提供します。
Nは、InSbの基質、3"、模造の等級タイプします
| ウエファーの指定 | |
| 項目 | 指定 |
| ウエファーの直径 |
3 ″ 76.2±0.4mm |
| 水晶オリエンテーション |
3 ″ （111） AorB±0.1° |
| 厚さ |
3 ″ 800or900±25um |
| 第一次平らな長さ |
3 ″ 22±2mm |
| 二次平らな長さ |
3 ″ 11±1mm |
| 表面の終わり | 、P/P P/E |
| パッケージ | Epi準備ができた、単一のウエファーの容器かCFカセット |
| 電気および指定を添加します | |||
| 伝導のタイプ | nタイプ | nタイプ | nタイプ |
| 添加物 | テルル | 低いテルル | 高いテルル |
| EPDのcm-2 | ≤50 | ||
| 移動性cmの² V-1s-1 | ≥2.5*104 | ≥2.5*105 | 指定されない |
| キャリア集中cm3 | （1-7） *1017 | 4*1014-2*1015 | ≥1*1018 |
| 赤外線r.i. | 4.0 |
| 放射組み変え係数 | 5·10-11 cm3s-1 |
のため120K < T < 360K dn/dT = 1.6·10-11·n
 | R.i. n対光子エネルギー、300 K。 |
| 正常な発生反射力対光子エネルギー、300 K。 |
| 本質的な吸収端の近くの吸収係数、T = 2K |
基底状態のRydbergエネルギーRX1= 0.5 MEV。
| 異なった温度のための本質的な吸収端の近くの吸収係数 |
| 純粋なInSbの吸収端。T （k）: 1. 298; 2. 5K; |
| 吸収係数対光子エネルギー、T = 300 K。 |
| 吸収係数対異なった添加のレベルの光子エネルギー、n-InSb、T = 130 K （cm3）: 1. 6.6·1013; 2. 7.5·1017; 3. 2.6·1018; 4. 6·1018; |
| 吸収係数対異なった添加のレベルの光子エネルギー、p-InSb、T = 5K。 po （cm3）: 1. 5.5·1017; 2. 9·1017; 3. 1.6·1018; 4. 2.6·1018; 5. 9.4·1018; 6. 2·1019; |
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PAM-XIAMENはすべての異なった種類のプロジェクトのためのリン化インジウムの基質を提供して自慢しています。InSbのウエファーを捜したら、学ぶために私達に照会をあなたがあなたの次のプロジェクトのために必要とするInSbのウエファーを得るために私達がいかにについてのあなたと働いてもいいか詳細を今日送って下さい。私達のグループのチームはあなたに両方良質品および優秀なサービスを提供することを楽しみにしています!