半導体の基質

2-4インチガリウムアンチモニード GaSb基板 半導体用単結晶単結晶インディアムアルセニード INAs 基板 シングルクリスタル モノクリスタル 半導体基板シングルクリスタル半導体基板 インディウムアルセニード INAs ウェーファー 適用するインディアムアルセニード (InAs) 単結晶半導体基......

4inch 6inch 4H-N sicのウエファーのSBD MOS装置、要求のパワー エレクトロニクス、太陽光起電のための4H-N 8inch TANKBLUEのブランドの半導体の基質SICの炭化ケイ素のウエファーのための4H-N 4inch 6inch Sicのウエファーの半導体の高い水晶質のた......

適用:半パッケージ、半導体、半導体、ICのパッケージ、ICの基質、uMCP、MCP、UFS、CMOS、MEMSのICアセンブリ、貯蔵ICのsubstrage;スマートな電話-。ラップの上（超薄いノート/タブレットのPC） -。携帯用電子デバイスのための携帯用ゲーム装置.Power/Analog IC......

製品説明: 陶器基板 - AIN 陶器基板 セラミックス基板は,半導体電源モジュールで使用するために設計された高性能電子材料です.高熱伝導性のアルミナイトリド (AIN) セラミクで作られています.この基板は,特殊な熱管理と電気隔熱特性を持っています.幅広い産業用用途に最適です 表面塗装: 磨い........

半導体のひずみゲージのトランスデューサーSPDの高速曲がる版のスケール 半導体のひずみゲージSPD 半導体のひずみゲージ（基質で） 照会を送って下さい 指定 関連製品 半導体のひずみゲージ（基質で） F1 F2.........

2インチパターンサファイア基板、LEDチップ、基板材料 パターン化されたサファイア基板 (PSS) が製造され、GaN ベースの LED で使用され、GaN の結晶欠陥を減らして内部量子効率を高めます。また、反射領域を増やすことで外部量子効率を向上させることもできます。 シリコン.........

高い耐久性の処理し難い注文の窒化珪素Si3N4の陶磁器の基質 Si3N4陶磁器の基質の主な特長 1. 高い熱伝導性（70までW/m.k）、3回アルミナの陶磁器の基質の; 2. 熱拡張係数（3.1×10-6/℃）は半導体のケイ素材料（3.5-4.0×10-6/℃）に一致させます; 3. 曲.........

半導体およびLEDの破片Mo、MoCu 25.4mm 1inchのためのモリブデンのウエファーの基質 モリブデン、モリブデンの銅およびタングステンの銅材料から成っているウエファーの基質:LEDランプの耐久財を作ることを、信頼でき、強い部品が装備されていなければならない。私達のモリブデンを使うと.........

半導体のためのCの平らで高い滑らかさそして高い清潔のサファイアの基質 サファイアのウエファーは従来のサファイアの基質標準等級に加えて高い滑らかさおよび高い清潔のような高い指定を提供する新しい半導体デバイスの研究開発のために主に適している。 主な特長 •高力、高い硬度、高い耐久性（ダ.........

2~10 μmの金属金属金属合金からできた,IGBT半導体用金属板 1コーティングされたニッケル基板に関する情報: Nickel-plated molybdenum-copper substrate is a metal material that uses a molybdenum-cop.........

完全自動型造形システム 性能パラメータ ● 模具の閉じる圧力: 98~1764kN ● 注射圧:4.9〜30kN 調節可能 ●適用可能なリードフレーム/基板サイズ:幅20~90mm,長さ100~300mm,厚さ0.15~1.2mm ● 適用可能な鋳造材料のサイズ:直径 φ 11-20mm,長さ/........

III窒化物の半導体材料PAM-XIAMENがUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立したので4 GaNの支えがない基質をじりじり動かしなさい。水素化合物の蒸気段階のエピタクシー（HVPE）の技術によって育てられて、GaNの私達......

紫外線耐性テープ 紫外線テープは特殊テープで,通常の条件下で粘着性が優れている.しかし,紫外線にさらされた後に粘着性が急速に低下する.紫外線テープは,通常,切断と磨き過程で,キャリアテープと保護基板として使用されます.. 紫外線テープは主に放出フィルム,アクリル粘着剤,ベースフィルムで構成さ.........

ウエファーを取るための半導体の陶磁器のウエファーのチャックで取り付ける基質 キー ワード: 陶磁器のウエファーのチャックで取り付ける基質 プロダクト:陶磁器のチャックおよびウエファーの終り作動体 陶磁器のチャックがおよび終り作動体は全工程によってシリコンの薄.........

広い直接bandgap （3.4 eV）によって、強い原子結束、高い熱伝導性および優秀な放射抵抗、GaNは高温半導体デバイスのためのだけでなく、短波の光電子工学材料、またよく代わりとなる材料でありではない。安定した物理的な、化学特性に基づいて、GaNはLEDの塗布（の紫外線ライト青、緑）、紫外探知器......

平らなサファイアの半導体 平面のサファイアは何であるか。 軸線に垂直であるC軸線を含んでいる平面。平面のサファイアのオリエンテーションは光電子工学の適用で広く利用されている。 研究者がいかにか平面のサファイアの基質を使用するためにか。 研究者によって化学気相堆積（CVD）が平面のサファ.........