rf パワーモスフェットトランジスタ

ケイ素 RF 力 電界効果トランジスタ のトランジスター IC 2SD1625 PNP/NPN のエピタキシアル平面 2SD1625 運転者の塗布 PNP/NPN のエピタキシアル平面のケイ素のトランジスター IC 適用 運転者、プリンター.........

FMの移動式ラジオのための150-175MHZ RF力MOSFETのトランジスターM68702H 条件: 100%の真新しいプロダクト 部分の状態: 活動的 パッケージ: H2 無鉛状態/RoHSの状態: 迎合的.........

MMBTA43LT1G高圧力mosfetのトランジスター、rf力mosfetのトランジスター 高圧トランジスターNPNのケイ素 発注情報 装置順序 数パッケージのタイプ 出荷の† MMBTA42LT1G SOT−23.........

M68702H 150-175MHz、12.5V、60WのFMの可動装置のラジオのためのRF力モジュールのトランジスター 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG/BRAND 　 部品番号 MFG/BRAND SS513AT ハネウェル社 　 RT2528L RALNK RT5501WSC ......

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製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........

VRF2933 N/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路VRF2933w 指定 項目 価値 D/C 新しい 条件...

ワイヤレス充電のための実用的な低電力モスフェットトランジスタ 20V 60V 特徴: 製品名:低電圧MOSFET 利点: システム の 効率 向上 効率: 高 効率 で 信頼 できる 抵抗: Rds (オン) 低 材料: シリコン 電力消費: 低電力損失 熱耐性 自動車運転 先進的な溝技術.........

AD8361ARMZ-REEL7 RF力トランジスター高性能の低雑音の50オーム入出力インピーダンス プロダクト リスト: AD8361ARMZ-REEL7 RF力トランジスター 製品タイプ:RF力トランジスター パッケージのタイプ:巻き枠 トランジスターの数:7 構成:片端接地.........

IRFP460LC力MOSFET -あなたの電子工学の必要性のための高性能解決IRFP460LC力MOSFETの購入の賛否両論 あなたの電子デバイスに動力を与えるために強力のおよび信頼できるトランジスター捜せばIRFP460LC力MOSFETはかもしれないちょうどである必要とするかもの。この.........

製品範囲 STB24N60DM2半導体は分離したMosfetのトランジスター電界効果トランジスタに動力を与える N-Channel N-channel 600 V、0.13 Ωのタイプ。、Dの²朴の21のMDmesh™ DM2力のMOSFETs、TO-220およびTO-247パッケージ.........

2.7GHzへの優秀なTheramalの安定性Rfの電力増幅器のトランジスターLDMOS FET 28V HF...

IRF540NSTRLPBF 良質HEXFE力MOSFETのトランジスター100V 44mΩ 33A新しい原物 細部の変数: 高度HEXFET力のMOSFETsからの 包装:- 263にタイプ:Nチャネル25°Cの連続的な下水管の流れ（ID）:33A下水管源の電圧（VDSS）.........

集積回路の破片SCT4018KEC11 TO-247-3のN-channel SiC力MOSFETのトランジスター SCT4018KEC11の製品の説明 SCT4045DW7HRTLは750V 31A （Tc）の93W自動車等級のN-channel SiC力MOSFETのトランジスター、パ.........

AOD442/AOI44260V NチャネルMOSFET 概説 AOD442/AOI442によって使用される高度の堀の技術への優秀なR DS （）および低いゲート充満を提供して下さい。それら装置は負荷スイッチとしてまたはPWMで使用のために適しています適用。 変数 .........

プロダクト細部 IRF3205にまた中国が作った良質の、興味を起こさせられて、plsなら連絡する引用を得るために私達にある。 私達の会社はすべてのIRFシリーズ、熱い販売を供給でき、在庫で、卸売はよい引用を得る。 包装 管 部分の状態 活動的 FETのタイプ N-Channel.........

低電圧MOSFET トレンチプロセス 無線充電 高EAS能力 製品説明: 低電圧MOSFETは,低ゲート電圧と低抵抗を必要とするアプリケーションで使用するために最適化されたMOSFETの一種である.優れた性能のためにトレントプロセスとSGTプロセスの技術の両方を利用する先進的な半導体装置ですSG........

D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz プッシュ・プル RF パワートランジスタ MOSFET 製造者: TT電子 製品カテゴリー: TT電子 ブランド: セメララボ / TT電子 D2085UKは28Vの電圧で動作し,120Wの出力に対応で.........

AFT05MS003NT1 MOSFETのトランジスターNチャネル500mV 30V RF力 AFT05MS003NT1、のRF MOSFETのトランジスター、N-Channel、- 500 mV、30ボルト、RF力MOSFET、1.8 MHzから941のMHz、20.8 dB、SOT-8.........