p チャンネル igt

DuaチャネルIGBTの運転者SCALETM-2+IGBTおよびMOSFETの運転者の中心 Q1. パッキングのあなたの言葉は何ですか。 A:通常、私達は中立ホワイト ボックスおよび茶色のカートンの私達の商品を詰めます。法的にパテントを登録したら、私達はあなたの承認の手紙.........

車載用 IGBT モジュール MSC100SM70JCU3 N チャネル IGBT 炭化ケイ素モジュール 365W 商品説明MSC100SM70JCU3 MSC100SM70JCU3 は、炭化ケイ素 (SiC) ショットキー ダイオード、降圧チョッパー 700 V、124 A.........

60A 650V Nチャネル 高電源 IGBT エネルギー貯蔵用 ソーラーストリングインバーター 主要な特徴 Ic @TC=100°C 60A VCE 650V VCE (sat) 型 1.8V 特徴 • トレンチとフィールドストップ技術 • 簡単に並列切換できる 応.........

東芝はゲートの両極トランジスター ケイ素NチャネルIGBTを絶縁しました GT30J121 高い発電の切換えの適用 速い切換えの適用 •第4生成 •強化モード •速い転換の(FS): 動作周波数50までのkHz （参照） 高速:tf = 0.05のµs （typ.........

あなたのお金を投資する前にIRG4IBC30Sの賛否両論を発見しなさいIRG4IBC30Sはあなたの電子工学の必要性のための右の選択であるか。 あなたの電子プロジェクトのための強力な絶縁されたゲートの両極トランジスター（IGBT）を捜せば、IRG4IBC30Sを聞くことができる。インフィニオ.........

GT20J301:Nチャネル（高い発電の切換えの運動制御の適用）東芝 東芝はゲートの両極トランジスター ケイ素NチャネルIGBTを絶縁した 高い発電の転換の適用運動制御の適用 ●第3生成●強化モード●高速。:tf=0.30pμs （最高。）●低い飽和電圧:VCE （坐った） =2.........

超高速のダイオードとのSTGP7NC60HD GP7NC60HD TO220 Nチャネル非常に速いIGBT 記述 これらの装置はPowerMESH™の高度の技術を使用して開発される非常に速いIGBTです。 このプロセスは切換えの性能と低いオン州の行動間の優秀なトレードオフを保証します。 これらの装置......

プロダクト細部 1. 標準的な、順序の商品か製造の歓迎。 2. サンプル順序。 3. 私達は24時間以内にあなたの照会のための答える。 4. 発送の後で、私達は2.........

IGBTモジュールを運転するための三菱IgbtモジュールM57962AL-01R-02雑種IC記述:M57962ALはあらゆるゲート アンプのn-channel IGBTモジュールを運転するために設計されている雑種の集積回路である 適用。この装置はこれらのモジュールのための分離のアンプとして作動し.......

低いVCE （坐る）および低速EMIのIRGP 4068 DPBF 600V 6.5A IGBT力モジュール プロダクト:IRGP4068DPBF IGBT力モジュール 特徴: - 600V/68A N-channel IGBT力モジュール - 低い飽和電圧 - 高速切換え.........

IPB044N15N5 IGBT力モジュール3.4Mのチャネル オームの抵抗N IPB044N15N5ATMA1 044N15N5 IPB044N15N5 044N15パッチMOSの管150V174A MOSFETの堀>=100VパッチMOSの管 製品特質.........

G40N60UFDダイオード600V 40A 160W、TO-3Pで造られるを用いる超高速IGBTのトランジスターNチャネル 記述: フェアチャイルドのUFDの一連のInsulatedゲートの両極トランジスター(IGBTs)は低い伝導および切換えの損失を提供します。UFDシリーズは運動制御.........

東芝IGBT力モジュールMG200Q1US51のトランジスター モジュール MG200Q1US51 製品の説明 下記によって製造される:Toshiba America、Inc。部品番号:MG200Q1US51 部分の部門:トランジスター記述:300A、1200VのNチャネル.........

製品の説明 200W IGBTモジュールの運転者回路I2C TLA2022IRUGRテキサス・インスツルメントの新しい到着 IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI TLA2022IRUGR 決断.........

IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI TLA2022IRUGR 決断（ビット） 12 入力チャネルの数 1 サンプル率（最高） （kSPS） 3.3 インターフェイスの種.........

JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者であるP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 N-channelを運転するのに使用す.........

IMBG120R350M1HXTMA1 N-Channel 1200 V 4.7A （Tc）の65W （Tc）表面の台紙PG-TO263-7-12インフィニオン・テクノロジーズ1200V CoolSiC™モジュール インフィニオン・テクノロジーズ1200V CoolSiC™モジュールはおよびシ.........

IRAMX20UP60A パワーマネジメントIC コントローラーとドライバ 20A 600V ING PWR ハイブリッドIC IRAMX20UP60Aは,IRの低VCE ((ON) パンチスルーIGBT技術と業界基準の3相高電圧および高速ドライバの組み合わせの20A 600V統合電力ハイブリッ........

GT50N322A50N322東芝アメリカ電子部品IGBTNチャネル1000V3ピンTO-3P（N）ディスクリートIGBTコンポーネント 製品の技術仕様 部品番号 GT50N322A ベース部品番号 50N322.........