超高速IGBTのトランジスターNチャネル、ダイオードで造られるを用いる絶縁されたゲートの両極トランジスター
型式番号:G40N60UFD
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T ・ T、西 Union，PAYPAL
供給の能力:100000pcs
受渡し時間:1 - 3日
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Shenzhen Guangdong China
住所：
部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 14 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
G40N60UFDダイオード600V 40A 160W、TO-3Pで造られるを用いる超高速IGBTのトランジスターNチャネル
記述:
フェアチャイルドのUFDの一連のInsulatedゲートの両極トランジスター(IGBTs)は低い伝導および切換えの損失を提供します。UFDシリーズは運動制御および高速切換えが必須の特徴である一般的なインバーターのような適用のために設計されています。
特徴:
•高速切換え
•低い飽和電圧:VCE （坐る） = 2.3ボルト@ IC = 20A
•高い入力インピーダンス
•CO-PAK、FRDのIGBT:trr = 50ns （typ。）。
適用:
AC及びDCの運動制御、一般目的インバーター、ロボット工学およびサーボ制御。
超高速IGBTのトランジスターNチャネル、ダイオードで造られるを用いる絶縁されたゲートの両極トランジスター
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