非隔離されたIGBTはゲートの両極トランジスター力モジュールTCAN1042GDQ1を絶縁した
型式番号:TCAN1042GDQ1
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ブランド:テキサス・インスツルメント
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製品の説明
Lastestは非IGBTを絶縁したゲートの両極トランジスター力モジュールTCAN1042GDQ1を隔離した
IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI TCAN1042GDQ1
| 議定書 | 缶、缶FD |
| チャネルの数（#） | 1 |
| 供給電圧（v） | 4.5から5.5 |
| バス欠陥の電圧（v） | -58から58 |
| 率に（最高）信号を送る（Mbps） | 5 |
| チタニウムの機能安全部門 | 機能安全可能 |
| 評価 | 自動車 |
| 実用温度範囲（c） | -55から125 |
| 低い電力モード | スタンバイ |
| 共通モード電圧（v） | -30から30 |
| 隔離される | いいえ |
TCAN1042G-Q1のための特徴
- AEC-Q100 （等級1）:自動車適用のために修飾される
- ISOの11898-2:2016およびISOの11898-5:2007の物理層の標準に合う
- 機能安全可能
- 『ターボ』はできる:
- すべての装置は古典的な缶を支え、2つMbpsはFD （適用範囲が広いデータ転送速度）でき、「G」の選択は5つMbpsを支える
- 高められたタイミングの差益のための短く、対称の伝搬遅延の時間そして速いループ時間
- 荷を積まれた缶ネットワークのより高いデータ転送速度
- EMCの性能:共通モード チョークのないサポートSAE J2962-2およびIEC 62228-3 （500までキロビット/秒）
- 入力/出力の電圧範囲は3.3ボルトおよび5ボルトMCUsを支える
- 無動力場合の理想的な受動の行動
- バスおよび論理ターミナルはである高いインピーダンス（負荷無し）
- バスおよびRXDの出力の故障の自由な操作とアップ/ダウン力
- 記憶保護機構
- ±15 kVまでのIEC ESDの保護
- バス欠陥の保護:±58 V （非H変形）および±70 V （Hの変形）
- Vの不足電圧の保護CCおよびVIOの（V唯一の変形）供給ターミナル
- 運転者の支配的な時間（TXD DTO） -データ転送速度10キロビット/秒に
- 熱操業停止の保護（TSD）
- 受信機共通モード入力電圧:±30 V
- 典型的なループ遅れ:110 ns
- – 55°Cからの150°Cへの接合部温度
- SOIC （8）改善された自動化された光学点検（AOI）機能のパッケージそして無鉛VSON （8）のパッケージ（3.0 mm X 3.0 mm）で利用できる
TCAN1042G-Q1のための記述
この缶のトランシーバー家族はISO11898-2 （2016年の）高速缶（コントローラー区域ネットワーク）の物理層の標準に合う。すべての装置は缶FDネットワーク2までMbps （毎秒メガビット）の使用のために設計されている。「G」の接尾辞を含んでいる部品番号が付いている装置はデータ転送速度5までMbps、および「V」の版のために持っている入力ピン境界およびRXDの出力レベルを移す入力/出力のレベルのための二次電源の入力を設計されている。この家族は遠隔航跡の要求特徴との低い電力の待機モードがある。さらに、すべての装置は装置およびネットワークの強さを高めるために多くの記憶保護機構を含んでいる。
非隔離されたIGBTはゲートの両極トランジスター力モジュールTCAN1042GDQ1を絶縁した
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