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オートメーションの予備品

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Guangzhou Sande Electric Co.,Ltd.

シティ：guangzhou

省/州：hebei

国/地域：china

連絡窓口：MsAmy

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China 東芝の高い発電IGBTモジュールの高速MG200Q1US51トランジスターモジュール wholesale

東芝の高い発電IGBTモジュールの高速MG200Q1US51トランジスターモジュール

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型式番号 :MG200Q1US51

原産地 :日本

最低順序量 :1pcs

支払の言葉 :ウェスタン・ユニオン、T/T、L/C、Paypal

供給の能力 :1000pcs 日

受渡し時間 :0-2日

包装の細部 :よい保護材料が付いている元のパッキング

アプリケーション :高い発電の切換え

互い違いの品目番号 :MG2OOQ1US51

条件 :新しい

保証 :一年

製品名 :トランジスターモジュール

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製品の説明を表示

東芝IGBT力モジュールMG200Q1US51のトランジスターモジュール

MG200Q1US51

製品の説明

下記によって製造される:Toshiba America、Inc。
部品番号:MG200Q1US51

部分の部門:トランジスター
記述:300A、1200VのNチャネルIGBT
コレクターエミッターの電圧:1200V
ゲートエミッターの電圧:20V
コレクター流れ（DC）:300A
前方流れ:（DC）:200A
コレクターの電力損失:1500W
接合部温度:150C
分離の電圧（AC 1 min.）:2500V
入力キャパシタンス（VCE=10V、VGE=0、f=1MHz）:24nF
切換えの時間:（誘導負荷VCC=600V、IC=200A、VGE=15V、RG=4.7Ω）
-時間回転で…:0.05s typ。
-上昇時間:0.05s typ。
-時間回転で…:0.2s typ。
-回転遅れ時間:0.5s typ。
-落下時間:0.1s typ。;最高0.3s。
-回転時間:0.6s typ。
前方電圧（IF=200A、VGE=0）:2.4V typ。;最高3.5V
逆の回復時間:0.15s typ。;最高0.3s。
（IF=200A、VGE=-10V、di/dt=700A/s）

特徴

高い入力インピーダンス
高速
低い飽和電圧
強化モード
電極は場合から隔離されます

F&A

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