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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

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IMBG120R350M1HXTMA1 IGBTのトランジスターモジュールNチャネル1200 V 4.7A 65Wの表面の台紙

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型式番号 :IMBG120R350M1HXTMA1

最低順序量 :50pcs

供給の能力 :1000000個

ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) :1200V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C :4.7A （Tc）

Rds On (Max) @ Id、Vgs :468mOhm @ 2A、18V

Vgs(th) (最大) @ Id :5.7V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs :5.9 NC @ 18ボルト

Vgs (最大) :+18V、-15V

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製品の説明を表示

IMBG120R350M1HXTMA1 N-Channel 1200 V 4.7A （Tc）の65W （Tc）表面の台紙PG-TO263-7-12

インフィニオン・テクノロジーズ1200V CoolSiC™モジュール

インフィニオン・テクノロジーズ1200V CoolSiC™モジュールはおよびシステム自在性よい効率度を提供する炭化ケイ素（SiC） MOSFETモジュールである。これらのモジュールは近い境界回路（NTC）およびPressFIT接触の技術と来る。CoolSiCモジュールはクラスの切換えおよび伝導の損失および低い帰納的設計で最もよい高い電流密度を特色にする。これらのモジュールは高周波操作、増加された出力密度および最大限に活用された開発サイクルの時間および費用提供する。

特徴

高い電流密度
クラスの切換えおよび伝導の損失のベスト
低い帰納的設計
低い装置キャパシタンス
逆の回復充満が付いている本質的なダイオード
統合されたNTCの温度検出器
PressFIT接触の技術

努力を冷却することを減らされるのための高性能
境界なしのオン州の特徴
温度の独立した転換の損失
高周波操作
増加された出力密度
最大限に活用された開発サイクルの時間および費用
迎合的なRoHS

指定

DF23MR12W1M1およびDF11MR12W1M1:
- ブスター構成
- 容易な1B構成
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 62.8mm x 33.8mm次元
FF8MR12W2M1およびFF6MR12W2M1:
- 二重構成
- 容易な2Bハウジング
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 62.8mm x 48mm次元
F423MR12W1M1P:
- FourPack構成
- 容易な1B構成
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 62.8mm x 33.8mm次元

FF11MR12W1M1、FF45MR12W1M1およびFF23MR12W1M1:
- 二重構成
- 容易な1Bハウジング
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 62.8mm x 33.8mm次元
F3L11MR12W2M1:
- 3レベルの構成
- 容易な2B構成
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 42.5mm x 51mm次元
FS45MR12W1M1:
- SixPACK構成
- 容易な1Bハウジング
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 62.8mm x 33.8mm次元

追加的なリソース

回路図

IMBG120R350M1HXTMA1 IGBTのトランジスターモジュールNチャネル1200 V 4.7A 65Wの表面の台紙

パフォーマンスグラフ

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