IMBG120R350M1HXTMA1 IGBTのトランジスター モジュールNチャネル1200 V 4.7A 65Wの表面の台紙
型式番号:IMBG120R350M1HXTMA1
最低順序量:50pcs
供給の能力:1000000個
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss):1200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:4.7A （Tc）
Rds On (Max) @ Id、Vgs:468mOhm @ 2A、18V
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
部屋3001-2のタワーAの国際貿易の広場、第9 Fuhong道、福田区、シンセン
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内 23 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IMBG120R350M1HXTMA1 N-Channel 1200 V 4.7A （Tc）の65W （Tc）表面の台紙PG-TO263-7-12
インフィニオン・テクノロジーズ1200V CoolSiC™モジュール
インフィニオン・テクノロジーズ1200V CoolSiC™モジュールはおよびシステム自在性よい効率度を提供する炭化ケイ素（SiC） MOSFETモジュールである。これらのモジュールは近い境界回路（NTC）およびPressFIT接触の技術と来る。CoolSiCモジュールはクラスの切換えおよび伝導の損失および低い帰納的設計で最もよい高い電流密度を特色にする。これらのモジュールは高周波操作、増加された出力密度および最大限に活用された開発サイクルの時間および費用提供する。
特徴
- 高い電流密度
- クラスの切換えおよび伝導の損失のベスト
- 低い帰納的設計
- 低い装置キャパシタンス
- 逆の回復充満が付いている本質的なダイオード
- 統合されたNTCの温度検出器
- PressFIT接触の技術
- 努力を冷却することを減らされるのための高性能
- 境界なしのオン州の特徴
- 温度の独立した転換の損失
- 高周波操作
- 増加された出力密度
- 最大限に活用された開発サイクルの時間および費用
- 迎合的なRoHS
指定
- DF23MR12W1M1およびDF11MR12W1M1:
- ブスター構成
- 容易な1B構成
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 62.8mm x 33.8mm次元
- FF8MR12W2M1およびFF6MR12W2M1:
- 二重構成
- 容易な2Bハウジング
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 62.8mm x 48mm次元
- F423MR12W1M1P:
- FourPack構成
- 容易な1B構成
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 62.8mm x 33.8mm次元
- FF11MR12W1M1、FF45MR12W1M1およびFF23MR12W1M1:
- 二重構成
- 容易な1Bハウジング
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 62.8mm x 33.8mm次元
- F3L11MR12W2M1:
- 3レベルの構成
- 容易な2B構成
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 42.5mm x 51mm次元
- FS45MR12W1M1:
- SixPACK構成
- 容易な1Bハウジング
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 62.8mm x 33.8mm次元
パフォーマンス グラフ
IMBG120R350M1HXTMA1 IGBTのトランジスター モジュールNチャネル1200 V 4.7A 65Wの表面の台紙
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