nand フラッシュストレージ

AT24C16A-DIP AT24C16A-DIPモデル部品番号:AT24C16A-DIPシェンzhen QingFengYuan Technology Co., Ltd は,包括的な電子部品ソリューションの主要なプロバイダです.シェンzhen QingFengYuan テクノロジー株式会社専門と.......

W25N01GVZEIG 3V 1GビットシリアルSLC NANDフラッシュメモリー バッファー READ & CONTINUOUS READ 3V 1Gビット SERIAL SLC NAND フラッシュメモリ付き 双対四対SPI バッファー READ & CONTINUOUS READ.........

MTFC4GACAJCN-1Mの重量のMultiMediaCard (MMC)のコントローラーおよび否定論履積の抜け目がないフラッシュ・メモリはICミクロンを欠きます 概説 ミクロンe.MMCはMMCのシステム仕様書と迎合的の、高度11信号バスのMultiMediaCard (MMC)インターフェイ......

U8 U8-RBQ03 工業用USBフラッシュドライブ,eUSBモジュール,MCPおよびDoBストレージソリューションのためのHyperstone USB 2.0 NANDフラッシュコントローラ 記述: U8 USB 2.0 NAND フラッシュコントローラ U8-RBQ03工業用USBフラ.........

64GB EMMC 5.1 ナンドフラッシュメモリチップ 集積回路 高密度BGAパッケージ単チップストレージ製品では フラッシュコントローラー,FLASHチップ,その他のコンポーネントを1つに統合し,最大1TBのストレージ容量高容量および性能密度 手持ち端末や組み込みマザーボード.........

記憶集積回路GD5F2GQ5UEYIGR WSON-8否定論履積のフラッシュ 製品の説明: GigaDevice GD5F SPI否定論履積のフラッシュ・メモリは高容量の貯蔵および性能を提供する。これはモバイル機器、セット トップ ボックス、データ カード、TVでこれらの装置をマルチメディ.........

MT29F2G01ABAGDWB-IT:Gのフラッシュ・メモリの破片 製品の機能: - 2ギガビット（GB）否定論履積のフラッシュ・メモリ - 3V供給電圧 - 8ビット バス幅 - パッケージのサイズ:11.5 mm X 13のmm - ONFI 2.1/トグル1.0のためのサポート.........

MX60LF8G18AC-XKIメモリICチップ 3V 8Gビット NANDフラッシュメモリIC VFBGA-63 パッケージ MX60LF8G18AC-XKIの製品説明 MX60LF8G18AC-XKIは8Gb SLC NAND Flashメモリデバイスである.標準NAND Flash機能と.........

TC58NYG0S3HBAI6東芝否定論履積の抜け目がない平行1.8V 1Gビット128M x 8 67 Pin VFBGAプロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN （米国） 3A991.b.1.a 部分の状態 活.........

DUAL/QUAD SPIのW25N01GVZEIG 3V 1G-BIT連続SLC否定論履積のフラッシュ・メモリ 緩衝読書及び連続的な読書 3V 1G-BIT 連続SLC否定論履積のフラッシュ・メモリとの SPIは二倍になったり/クォード 緩衝読書及び連続的な読書.........

MT29F2G16ABAEAWP:Eの記憶IC否定論履積抜け目がないミクロンのデータ記憶128MX16 EEPROM IC 否定論履積のフラッシュ・メモリICの破片力管理ICミクロンMT29F32G08CBADBWP 製品範囲 抜け目がない-否定論履積の記憶IC 2Gbit.........

W29N01HVSINA否定論履積のフラッシュ・メモリECC 1Gbit 2.7Vへの3.6V 35mA 128M x 8 TSOP-48 指定 製品特質 属性値 様式の取付け: SMD/SMT 記憶容量: 1 Gbit.........

IS21ES08G-JCLIのeMMC 8GB 3.3V 200MhzのeMMC否定論履積のフラッシュ・メモリのデータ記憶 特徴 •eMMC 5.0インターフェイスとの包まれた否定論履積のフラッシュ・メモリ •IS21/22ES08G:8Gigabyte •eMMCの指定Ver.4.4.........

MT29F4G08ABADAH4-AITX - 4GB否定論履積のフラッシュ・メモリ 導入: MT29F4G08ABADAH4-AITXはいろいろ計算し、貯蔵集中的な適用の使用のために設計されている4GB否定論履積のフラッシュ・メモリ モジュールである。それはそれに要求の.........

SM662PEF BESSのフラッシュ-否定論履積（TLC）の記憶IC EMMC 100-BGA （14x18） Mfr Silicon Motion、Inc。 シリーズ FerrieMM...

FMC NAND/Flashの記憶基質の製造の支持 適用:ICのパッケージ、半導体のパッケージ、UDP/USBプロダクト、記憶電子工学、NAND/Flashの記憶、否定論履積のフラッシュ・メモリ カード、スマートなモバイル機器、ノートのPC; Spec.ofの基質の生産: Mini.Li.........

NAND256W3A2BN6E否定論履積のフラッシュ・メモリのSTMicroelectronicsの電子集積回路。 設置様式:SMD/SMTパッケージ/箱:TSOP-48シリーズ:NAND256-A収蔵可能量:256 Mbitインターフェイスの種類:平行構成:32のM X 8タイミングのタイプ:非.......