AT24C16A-DIP AT24C16A-DIPモデル部品番号:AT24C16A-DIPシェンzhen QingFengYuan Technology Co., Ltd は,包括的な電子部品ソリューションの主要なプロバイダです.シェンzhen QingFengYuan テクノロジー株式会社専門と.......
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W25N01GVZEIG 3V 1GビットシリアルSLC NANDフラッシュメモリー バッファー READ & CONTINUOUS READ 3V 1Gビット SERIAL SLC NAND フラッシュメモリ付き 双対四対SPI バッファー READ & CONTINUOUS READ.........
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BWET08U -XXG SPI(シリアルペリフェラルインターフェース)NANDフラッシュIC スマートウェアネットワーキング用 SPI(シリアルペリフェラルインターフェース)NANDフラッシュは、より費用対効果の高いメモリソリューションを提供します。産業グレードのSLC.........
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MTFC4GACAJCN-1Mの重量のMultiMediaCard (MMC)のコントローラーおよび否定論履積の抜け目がないフラッシュ・メモリはICミクロンを欠きます 概説 ミクロンe.MMCはMMCのシステム仕様書と迎合的の、高度11信号バスのMultiMediaCard (MMC)インターフェイ......
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64GB EMMC 5.1 ナンドフラッシュメモリチップ 集積回路 高密度BGAパッケージ単チップストレージ製品では フラッシュコントローラー,FLASHチップ,その他のコンポーネントを1つに統合し,最大1TBのストレージ容量高容量および性能密度 手持ち端末や組み込みマザーボード.........
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MT29F4G01ABBFDWB-IT:F メモリICチップ MT29F4G01ABBFDWB-IT:FはUPDFN8パッケージの4GbitNANDフラッシュメモリチップである.このマルチプレックス NAND フラッシュメモリは,高密度固体ストレージを必要とするアプリケーションに費用対効果の高い........
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MT29F2G01ABAGDWB-IT:Gのフラッシュ・メモリの破片 製品の機能: - 2ギガビット(GB)否定論履積のフラッシュ・メモリ - 3V供給電圧 - 8ビット バス幅 - パッケージのサイズ:11.5 mm X 13のmm - ONFI 2.1/トグル1.0のためのサポート.........
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TC58NYG0S3HBAI6東芝否定論履積の抜け目がない平行1.8V 1Gビット128M x 8 67 Pin VFBGAプロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN (米国) 3A991.b.1.a 部分の状態 活.........
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DUAL/QUAD SPIのW25N01GVZEIG 3V 1G-BIT連続SLC否定論履積のフラッシュ・メモリ 緩衝読書及び連続的な読書 3V 1G-BIT 連続SLC否定論履積のフラッシュ・メモリとの SPIは二倍になったり/クォード 緩衝読書及び連続的な読書.........
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MT29F2G16ABAEAWP:Eの記憶IC否定論履積抜け目がないミクロンのデータ記憶128MX16 EEPROM IC 否定論履積のフラッシュ・メモリICの破片力管理ICミクロンMT29F32G08CBADBWP 製品範囲 抜け目がない-否定論履積の記憶IC 2Gbit.........
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3.3V 1Gb SLC NAND フラッシュメモリ IMS1G083ZZM1S-WP 1.0 紹介 1.1 一般説明 128Mx8bitで提供されるlMS1G083ZZM1S-WPは,余分な32Mbで1GビットNANDフラッシュメモリである.デバイスは3.3vvccで提供されている.NANDセ........
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MT29F4G08ABADAH4-AITX - 4GB否定論履積のフラッシュ・メモリ 導入: MT29F4G08ABADAH4-AITXはいろいろ計算し、貯蔵集中的な適用の使用のために設計されている4GB否定論履積のフラッシュ・メモリ モジュールである。それはそれに要求の.........
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W29N01HVSINA否定論履積のフラッシュ・メモリECC 1Gbit 2.7Vへの3.6V 35mA 128M x 8 TSOP-48 指定 製品特質 属性値 様式の取付け: SMD/SMT 記憶容量: 1 Gbit.........
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N7100 EMMC 16GB否定論履積のフラッシュ・メモリの破片IC KMV3W000LM-B310 サムスンNote2 N7100のeMMC 16GB否定論履積のフラッシュ・メモリの破片ICのためにKMV3W000LM-B310はファームウェア データemmcの破片ICとプログラムした.........
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IS21ES08G-JCLIのeMMC 8GB 3.3V 200MhzのeMMC否定論履積のフラッシュ・メモリのデータ記憶 特徴 •eMMC 5.0インターフェイスとの包まれた否定論履積のフラッシュ・メモリ •IS21/22ES08G:8Gigabyte •eMMCの指定Ver.4.4.........
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SM662PEF BESSのフラッシュ-否定論履積(TLC)の記憶IC EMMC 100-BGA (14x18) Mfr Silicon Motion、Inc。 シリーズ FerrieMM...
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FMC NAND/Flashの記憶基質の製造の支持 適用:ICのパッケージ、半導体のパッケージ、UDP/USBプロダクト、記憶電子工学、NAND/Flashの記憶、否定論履積のフラッシュ・メモリ カード、スマートなモバイル機器、ノートのPC; Spec.ofの基質の生産: Mini.Li.........
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