1.GENERAL記述
W25N01GV （1Gビット）連続SLC否定論履積のフラッシュ・メモリはシステムに貯蔵の解決にを与える
限られたスペース、ピンおよび力。W25N SpiFlash家族は普及したSPIインターフェイスを組み込み、
従来の大きい否定論履積の不揮発性メモリスペース。それらはRAMに尾行するコードにとって理想的であり実行する
二重/クォードSPI （XIP）および声、テキストおよびデータを貯えることからのコード直接。装置は単一を作動させる
スタンバイのための25mA能動態そして10µAとして低い消費電流が付いている3.6V電源への2.7V。すべてのW25N
SpiFlash家族装置は以前使用することが不可能だったスペース節約のパッケージで提供される
典型的な否定論履積のフラッシュ・メモリ。
W25N01GV 1Gビット記憶配列は2,048バイトの65,536のプログラム可能なページそれぞれに組織される。
全体のページは2,048バイトの内部緩衝からのデータを使用して同時にプログラムすることができる。ページ
64のグループで消すことができる（128KBブロックの消去）。W25N01GVに1,024の消去可能なブロックがある。
W25N01GVは標準的な連続周辺機器インターフェイス（SPI）、二重/クォード入力/出力SPIを支える:連続時計、
破片の選り抜き、シリアル データI/O0 （ディディミアム）、I/O1 （）、I/O2 （/WP）、およびI/O3 （/HOLD）。までのSPIのクロック周波数
104MHzは支えられ208MHz （二重入力/出力および416MHzの同等のクロック レートをのための104MHz X 2）許可する
速い読書を使用する場合の（クォード入力/出力のための104MHz X 4）は入力/出力の指示二倍になったり/クォード。
W25N01GVは全体への有効なアクセスを可能にする新しく連続的な読まれたモードを提供する
単一の読取り指令を用いる記憶配列。この特徴は適用を尾行するコードにとって理想的である。
把握ピン、書込禁止ピンおよびプログラム可能保護を、提供するそれ以上の制御柔軟性を書く。
さらに、装置はJEDEC標準的な製造業者および装置ID、1つの2,048バイト独特なIDを支える
ページ、1つの2,048バイト変数ページおよび10の2,048バイトOTPのページ。よりよい否定論履積のフラッシュを提供するため
記憶管理性、ユーザー構成可能の内部ECCは、不良ブロック管理また利用できる
W25N01GV.
2. 特徴
•SpiFlashの記憶の新しいW25Nの系列
– W25N01GV:1Gビット/128Mバイト
–標準的なSPI:CLK、/CSのディディミアムは、/WP、/HOLD
–二重SPI:CLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/Hold
–クォードSPI:CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
–多用性があるSPI連続抜け目がない命令
•高性能連続否定論履積のフラッシュ
– 104MHz標準/二重/クォードSPIの時計
– 208/416MHz等量はSPI二倍になったり/クォード
– 50MB/S計量値の移動率
–速いプログラム/消去の性能
– 100,000以上の消去/業務計画周期
–多くにより10年データ保持
•有効な「連続的な読まれたモード」（1）
–緩衝読書モードへの代替方式
– 「ページ データ出す」を必要性は読取り指令の間で読まなかった
–全体の配列への直接読み取りアクセスを許可する
•低い電力、広い温度較差
– 3.6V供給への単一の2.7
–活動的な25mA 10µAスタンバイの流れ
– +85°Cの動作範囲への-40°C
•128KBブロックとの適用範囲が広い建築
–均一128Kバイトのブロックの消去
–適用範囲が広いページ データ負荷方法
•進んだ機能
–記憶配列のための破片1ビットECCで…
– ECCの状態ビットはECCの結果を示す
–不良ブロック管理およびLUT （2）アクセス
–ソフトウェアおよびハードウェア書込禁止
–電源のロック式およびOTPの保護
– 2KB独特なIDおよび2KB変数ページ
– 3） 10の2KB OTPのページ（
•スペース有効な包装
– 8パッドWSON 8x6 mm
– 16ピンSOIC 300ミル
– 24ボールTFBGA 8x6 mm
–他のパッケージの選択のためのWinbondに連絡しなさい
デリカテッセンの電子工学のtehcnology Co.、株式会社
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