MT29F2G16ABAEAWP:E否定論履積のフラッシュ・メモリの破片128MX16 EEPROM ICS
型式番号:MT29F2G16ABAEAWP:E
最低順序量:交渉可能
支払の言葉:T/T、D/P、D/A、L/C、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:3000000 個
受渡し時間:交渉可能
プロダクト モデル:MT29F2G16ABAEAWP:E
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住所：
RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 16 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
MT29F2G16ABAEAWP:Eの記憶IC否定論履積抜け目がないミクロンのデータ記憶128MX16 EEPROM IC
否定論履積のフラッシュ・メモリICの破片力管理ICミクロンMT29F32G08CBADBWP
製品範囲
- 抜け目がない-否定論履積の記憶IC 2Gbit平行48-TSOP
Appの特徴
- VDD = VDDQ = 1.35V （1.283-1.45V）
- に下位互換VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
- DDR3L装置を1.5V適用で後方に互換性があるために支える
- 差動二方向データ ストロボ
- 8nビット先取りの建築
- データ、ストロボおよびマスク信号のためのわずかな、動的オン ダイスの終了（ODT）
- プログラム可能なCASの（読まれる）潜伏（CL）
- プログラム可能な掲示されたCASの付加的な潜伏（AL）
- プログラム可能なCASの（書きなさい）潜伏（CWL）
- 8および破烈のチョップの固定破烈させた長さ（BL） （紀元前に）
指定
| 製品特質 | 属性値 |
|---|---|
| マイクロン・テクノロジ | |
| 製品カテゴリ: | 否定論履積のフラッシュ |
| RoHS: | 細部 |
| SMD/SMT | |
| TSOP-48 | |
| MT29F | |
| 2 Gbit | |
| 平行 | |
| 128のM X 16 | |
| 非同期 | |
| 16ビット | |
| 2.7 V | |
| 3.6 V | |
| 35 mA | |
| 0 C | |
| + 70 C | |
| 巻き枠 | |
| テープを切りなさい | |
| 巻き枠 | |
| ブランド: | ミクロン |
| 記憶タイプ: | 否定論履積 |
| プロダクト: | 否定論履積のフラッシュ |
| 製品タイプ: | 否定論履積のフラッシュ |
| 標準: | 支えられない |
| 1000 | |
| 下位範疇: | 記憶及びデータ記憶 |
| タイプ: | ブート ブロック無し |
ダウンロードのデータ用紙
- 否定論履積のフラッシュ・メモリICの破片DDR SDRAMミクロンMT41K256M16HA-125:E
適用
- Ultrabook/ノートDC/DCのコンバーター
- 多相VcoreおよびDDRの解決
- NetworkingTelecomのポイントの負荷同期木びき台、および計算機システム
- 電池式システム
- 携帯用HDMIの適用
- USB-OTGの適用
- 携帯電話、スマートな電話
順序プロセス
RFQの形態に部品を加えなさい RFQを堤出しなさい 私達は24時間以内に答える 順序を確認する 支払 船あなたの順序
より多くの記憶IC破片モデル
| 24LC02BT | 24LC04BT | 24LC08BT | 24LC16BT |
| 24LC32BT | 24LC64T | 24LC128T | 24LC256BT |
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| W25Q128JVSIQ | W25Q128FVSIG | W25Q128JVSSIQ | W25Q128JVEIQ |
| W25Q256JVEIQ | W25Q256JVFIQ | W25Q256FVEIG | W25Q256FVFIG |
| W25Q512JVEIQ | W25Q512JVFIQ | W25Q512JVFIM | W25Q512JVEIM |
適用
- 段階で広く利用された
- コンサート
- TVに住みなさい
- 新しいエネルギー
- 家庭用電化製品
- 3Cデジタル
- 自動車電子工学
- 計器
破片の図表
MT29F2G16ABAEAWP:E否定論履積のフラッシュ・メモリの破片128MX16 EEPROM ICS
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