Waltonの電子工学Co.、株式会社。

Shenzhen Walton Electronics Co., Ltd.

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IS21ES08G-JCLI 8gb否定論履積のフラッシュ・メモリの破片3.3V 200Mhz

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シティ:shenzhen
国/地域:china
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IS21ES08G-JCLI 8gb否定論履積のフラッシュ・メモリの破片3.3V 200Mhz

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型式番号 :IS21ES08G-JCLI
原産地 :原物
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPal
供給の能力 :10000pcs/months
受渡し時間 :1-3仕事日
包装の細部 :標準
記憶容量 :8 GB
構成 :MLC
支えられた読書 :250 MB/s
支えられる書きなさい :27.3 MB/s
作動の供給電圧 :2.7 Vから3.6ボルト
FPQ :152
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IS21ES08G-JCLIのeMMC 8GB 3.3V 200MhzのeMMC否定論履積のフラッシュ・メモリのデータ記憶

 

特徴

•eMMC 5.0インターフェイスとの包まれた否定論履積のフラッシュ・メモリ

•IS21/22ES08G:8Gigabyte

•eMMCの指定Ver.4.4、4.41、4.5、5.0と迎合的

•バス モード

- 高速eMMCの議定書

- クロック周波数:0-200MHz.

- 10ワイヤー バス(時計、1つのかまれた命令、8ビット・データ バス)およびハードウェア調整。

•3つのデータ・バス幅を支える:1つは(デフォルト)、4ビット、8ビットかんだ

- データ転送率:52Mbyte/sまで(52のMHzの8つの平行データ ラインを使用して)

- 単一のデータ転送速度:まで200Mbyte/s @ 200MHz (HS200)

- 二重データ転送速度:まで400Mbyte/s @ 200MHz (HS400)

•作動の電圧範囲:

- VCCQ = 1.8 V/3.3 V - VCC = 3.3ボルト

•サポートは装置が(pSLC)より高い読み書き性能、持久力および信頼性のために疑似SLCように形成することができるモードを高めた。

•誤りが無いメモリー アクセス

- データ通信を保護する内部エラー修正 コード(ECC)

- 内部高められたデータ管理のアルゴリズム-突然の電源異常、データ内容のための安全更新操作からの固体保護

•保証-サポート安全な不良ブロックの消去およびトリム命令

- 高められる永久的で、部分的な保護選択の保護を書きなさい

•分野ファームウェア更新(FFU)

•ブート パーティションおよびRPMBの仕切り

•高められた装置生命時間

•前にEOL情報

•生産の州意識•睡眠のための電源遮断の通告

•温度較差

- 産業等級:-40 ℃ | 85 ℃

- 自動車等級(A1):-40 ℃ | 85 ℃

- 自動車等級(A2):-40 ℃ | 105 ℃

•質-迎合的なRoHS (RoHSの詳しい宣言のために、あなたの代表に連絡しなさい。)

•パッケージ- 153 FBGA (11.5mm x 13mm x 1.0mm) - 100 FBGA (14.0mm x 18.0mm x 1.4mm)

 


IS21ES08G-JCLI 8gb否定論履積のフラッシュ・メモリの破片3.3V 200Mhz

eMMC
RoHS: 細部
IS21ES08G
8 GB
MLC
250 MB/s
27.3 MB/s
2.7 Vから3.6ボルト
- 40 C
+ 85 C
ブランド: 在庫の原物
敏感な湿気: はい
様式の取付け: SMD/SMT
パッケージ/場合: FBGA-153
プロダクト: eMMCの抜け目がないドライブ
製品タイプ: eMMC
工場パックの量: 152
下位範疇: 記憶及びデータ記憶
単位重量: 0.072361 oz
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