NAND256W3A2BN6E STMicroelectronics 256 Mbit否定論履積のフラッシュ・メモリ
型式番号:NAND256W3A2BN6E
原産地:マレーシア
最低順序量:10PCS
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力:2304
受渡し時間:2-3days
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Shenzhen Guangdong China
住所：
3418、DuhuixuanのShennanの道、福田区、シンセン、広東省、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 25 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
NAND256W3A2BN6E否定論履積のフラッシュ・メモリのSTMicroelectronicsの電子集積回路。
設置様式:SMD/SMT
パッケージ/箱:TSOP-48
シリーズ:NAND256-A
収蔵可能量:256 Mbit
インターフェイスの種類:平行
構成:32のM X 8
タイミングのタイプ:非同期
データ・バス幅:8ビット
電源の電圧最低:2.7 V
電源の電圧最高:3.6 V
供給の現在最高:20 mA
最低の実用温度:- 40 C
最高使用可能温度:+ 85 C
パッケージ:皿
貯蔵のタイプ:否定論履積
プロダクト:否定論履積のフラッシュ
速度:50 ns
構造:Multiplane
商標:STMicroelectronics
活動的な読む流れ（最高）:20 mA
湿気の感受性:はい
製品タイプ:否定論履積のフラッシュ
標準:支えられない
工場パッキングの量:576
下位範疇:記憶及びデータ記憶
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NAND256W3A2BN6E STMicroelectronics 256 Mbit否定論履積のフラッシュ・メモリ
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