TC58NYG0S3HBAI6東芝平行否定論履積のフラッシュ1.8V 1Gは128M x 8 67 Pin VFBGAをかんだ
型式番号:TC58NYG0S3HBAI6
原産地:タイ
最低順序量:パッケージQty
包装の細部:テープおよび巻き枠
受渡し時間:2週
支払の言葉:T/T
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Shenzhen China
住所：
国際ロジスティクスの中心A-702の第1中国南部道、シンセン、中国
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内 2 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
TC58NYG0S3HBAI6東芝否定論履積の抜け目がない平行1.8V 1Gビット128M x 8 67 Pin VFBGA
プロダクト技術仕様
| EU RoHS | 迎合的 |
| ECCN （米国） | 3A991.b.1.a |
| 部分の状態 | 活動的 |
| 自動車 | 未知数 |
| PPAP | 未知数 |
| 細胞のタイプ | 否定論履積 |
| 破片密度（ビット） | 1G |
| 建築 | Sectored |
| ブート ブロック | いいえ |
| ブロック構成 | 対称 |
| 住所バス幅（ビット） | 28 |
| セクタ サイズ | 128Kbyte X 1024 |
| ページ サイズ | 2Kbyte |
| ビット/単語（ビット）の数 | 8 |
| 単語の数 | 128M |
| プログラム可能性 | はい |
| タイミングのタイプ | 非同期 |
| 最高の消去の時間（S） | 0.01/Block |
| 最高のプログラミングの時間（氏） | 0.7 |
| 加工技術 | CMOS |
| インターフェイスの種類 | 平行 |
| 最低の作動の供給電圧（v） | 1.7 |
| 典型的な作動の供給電圧（v） | 1.8 |
| 最高の作動の供給電圧（v） | 1.95 |
| プログラミングの電圧（v） | 1.7から1.95 |
| 動作電流（mA） | 30 |
| プログラム流れ（mA） | 30 |
| 最低の実用温度（°C） | -40 |
| 最高使用可能温度（°C） | 85 |
| 互換性がある命令 | いいえ |
| ECCサポート | はい |
| ページ モードのサポート | いいえ |
| 製造者のパッケージ | VFBGA |
| ピン・カウント | 67 |
| 土台 | 表面の台紙 |
| パッケージの高さ | 0.7 （最高） |
| パッケージの長さ | 8 |
| パッケージの幅 | 6.5 |
| PCBは変わった | 67 |
TC58NYG0S3HBAI6東芝平行否定論履積のフラッシュ1.8V 1Gは128M x 8 67 Pin VFBGAをかんだ
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