IRF5210PBF Pチャネル100V 40A 200W TO-220のすくいMosfet力トランジスター 記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFETsが有名のためにである.........
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電気オートバイ18のmosfets 35Aのコントローラー48-96vの工場のための輸入された力トランジスターは指示します 私達のコントローラーの指定 演劇をよくするためにはコントローラーの性能およびプロダクト安定性は、私達のコントローラーの使用すべて力トランジスターを輸入しました。 .........
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IPG20N06S4L14AATMA1力トランジスターNチャネルMOSFET 40V 60V OptiMOS T2のパワー トランジスター 特徴 •二重N-channelの論理のレベル-強化モード •AEC Q101は修飾した •260°Cピークの退潮までのMSL1 •175.........
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INNOTION YP01401650T 50W ガリウムナイトリド 28V DC-4GHz 高電子移動性GAN RF電源トランジスタ 製品説明 イノーションのYP01401650Tは 高効率に設計された 50ワット高電子移動性トランジスタ (HEMT)高い加益率と,最大4000MHzの周波.........
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INFINEON チップ IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 製造者: インフィニオン 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース.........
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51199930-100の51199930100のハネウェル社力トランジスター装置 ⇒はよい価格51199930-100のためにここにかちりと鳴ります ブランド/製造業者 ハネウェル社/USA 部品番号 51199.........
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NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメント/TI BQ26100DRPR ECADモジュール PCBの足跡か記号を造るか、または要求しなさい 需要と供給の状態 バランス 公開市場の擬似脅威.........
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特徴: それは同じような形の管包まれた力トランジスター、audionsおよび他の電子部品の形成のために適しています。*Itsの速度はsteplessly調節することができます。 作動し、維持することは容易です。 型はサイズのための顧客の.........
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製品の説明IRF1404ZPBF Nチャネルのトランジスター180A 200W HEXFET FET MOSFET 穴TO-220AB HEXFETのFETsのMOSFETsを通したIRF1404ZPBFのトランジスターN-Channel 180A 200W N-Channel 180A (穴TO-......
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SOT-323 3904W /3906W NPNとPNP シリコン 特徴 - このトランジスタは,一般的な用途のアンプアプリケーションのために設計されています. 低出力表面マウント用用に設計されたSOT323/SC70で - Pbフリーパッケージが用意されています. 一般目的のアンプトラ.........
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IPL60R225CFD7AUMA1標準的なMOSFETのトランジスターFETのよい価格 製品の説明 IPL60R225CFD7AUMA1は費用最大限に活用される、10mΩ低いオン抵抗RDSを()提供し、増加された出力密度および最小にされた伝導の損失を可能にする。.........
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SOT-23はMOSFETSをプラスチック内部に閉じ込める BSS138 N-Channel 50-V (D-S) MOSFET...
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離散半導体 IPB018N10N5ATMA1 PG-TO263-3 MOSFET 製品説明: MOSFETOptiMOSTM5 パワートランジスタ,100V 特徴: •高周波スイッチとシンクレスの理想•Nチャンネル,通常のレベル•FOMOSS に最適化•RDS (オン)•175° 協力温度•Pbフリ......
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限られる優秀な総合システムは(限られるEIS) IRLML6346TRPBF - IR (国際的な整流器) -の専門のストッキングのディストリビューターHEXFET力MOSFETです.........
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BF 999 E6327 RF MOSFETのトランジスター ケイ素のN-Channel MOSFETの三極管 1.Silicon N-Channel MOSFETの三極管 高周波段階のためできれば300までのMHz FMの適用で•Pbなしの(迎合的なRoHS) package1) .........
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