SI7461DP-T1-GE3 Mosfet力トランジスターMOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
型式番号:SI7139DP-T1-GE3
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供給の能力:1日あたりの50000部分
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包装の細部:SOT223
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Shenzhen China
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部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
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内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
SI7461DP-T1-GE3 Mosfet力トランジスターMOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
特徴
- TrenchFET®力のMOSFETs
- 物質的な類別:
承諾の定義のためにwww.vishay.com/doc?99912を見なさい
プロダクト概要 | ||
VDS （v） | RDS （） （） | ID （a） |
-60 | 0.0145のVGS = -10ボルト | -14.4 |
0.0190のVGS = -4.5ボルト | -12.6 | |
絶対最高評価（通知がなければTA = 25 °C、） | |||||
変数 | 記号 | 10 s | 定常 | 単位 | |
下水管源の電圧 | VDS | -60 | V | ||
ゲート源の電圧 | VGS | ± 20 | |||
連続的な下水管の流れ（TJ = 150 °C） a | TA =25°C | ID | -14.4 | -8.6 | |
TA =70°C | -11.5 | -6.9 | |||
脈打った下水管の流れ | IDM | -60 | |||
連続的なソース電流（ダイオードの伝導） a | ある | -4.5 | -1.6 | ||
なだれの流れ | L = 0.1 mH | IAS | 50 | ||
単一の脈拍のなだれエネルギー | EAS | 125 | mJ | ||
最高の電力損失a | TA =25°C | PD | 5.4 | 1.9 | W |
TA =70°C | 3.4 | 1.2 | |||
作動の接続点および保管温度の範囲 | TJ、Tstg | -55から+150 | °C | ||
はんだ付けする推薦（ピーク温度） b、c | 260 | ||||
熱抵抗の評価 | |||||
変数 | 記号 | 典型的 | 最高 | 単位 | |
最高の接続点に包囲されたa | tの10 s | RthJA | 18 | 23 | °C/W |
定常 | 52 | 65 | |||
最高の接続点に場合（下水管） | 定常 | RthJC | 1 | 1.3 | |
SI7461DP-T1-GE3 Mosfet力トランジスターMOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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