補足のケイ素力トランジスター 電界効果トランジスタ 半導体 MJ15025G

補足のケイ素力トランジスター 電界効果トランジスタ 半導体 MJ15025G

PNP の− MJ15023、MJ15025*

ケイ素力トランジスター

  MJ15023 および MJ15025 は高い発電の音声、ディスク ヘッド ポジシァヨナーおよび他の線形適用のために設計されている PowerBase 力トランジスターです。

特徴

• 高い安全運転区域（テストされる 100%） −2 A @ 80 ボルト

• 高い DC の現在の利益−の hFE = 15 （分） @ IC = 8 Adc

• Pb−Free のパッケージは Available* です

MJ1502x = デバイス・コード

X = 3 か 5

G = Pb−Free のパッケージ

A = アセンブリ位置

Y = 年

WW = 仕事週

MEX = 生産国

            発注情報

   トランジスターの powerhandling 能力に 2 つの限定があります: 平均接合部温度および第 2 故障。 安全運転区域のカーブは信頼できる操作のために観察されなければならないトランジスターの IC の− VCE の限界を示します; すなわち、トランジスターはより大きい消滅にカーブが示すより服従してはなりません。

  図 1 のデータは TJ （pk）に = 200C 基づいています; TC は条件によって可変的です。 場合の高温で、熱限定は価値に扱うことができる第 2 故障によって課された限定よりより少し力を減らします。

典型的な特徴

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